k5d5657acm-f015
修订 0.1
九月 2003
- 3 -
进步
mcp 记忆
初步的
一般 描述
特性
<一般>
•
运行 温度 : -25
°
c ~ 85
°
C
•
包装 : 107-球 fbga 类型 - 10.5x13mm, 0.8mm 程度
<与非>
•
电源 供应 电压 : 1.7~1.95v
•
Organization
- 记忆 cell 排列 : (32m + 1024k)位 x 8bit
- 数据 寄存器 : (512 + 16)位 x 8bit
•
自动 程序 和 擦掉
- 页 程序 : (512 + 16)字节
- 块 擦掉 : (16k + 512)字节
•
页 读 运作
- 页 大小 : (512 + 16)字节
- 随机的 进入 : 10
µ
s(最大值.)
- 串行 页 进入 : 50ns(最小值.)
•
快 写 循环 时间
- 程序 时间 : 200
µ
s(典型值.)
- 块 擦掉 时间 : 2ms(典型值.)
•
command/地址/数据 多路复用 i/o 端口
•
硬件 数据 保护
- 程序/擦掉 lockout 在 电源 transitions
•
可依靠的 cmos floating-门 技术
-忍耐力 : 100k 程序/擦掉 循环
- 数据 保持 : 10 年
•
command 寄存器 运作
•
intelligent copy-后面的
•
唯一的 id 为 版权 保护
<mobile sdram>
•
电源 供应 电压 : 1.65~1.95v
•lvcmos 兼容 和 多路复用 地址.
•四 banks 运作.
•mrs 循环 和 地址 关键 programs.
-. cas latency (1, 2 &放大; 3).
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page).
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave).
•emrs 循环 和 地址 关键 programs.
•所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟.
•burst 读 单独的-位 写 运作.
•特定的 函数 支持.
-. pasr (partial 排列 自 refresh).
-. 内部的 tcsr (温度 补偿 自 refresh)
-. ds (驱动器 力量)
•dqm 为 masking.
•自动 refresh.
•64ms refresh 时期 (4k 循环).
multi-碎片 包装 记忆
256m 位 (32mx8) 与非 flash / 256m 位(4mx16x4banks) mobile sdram
这 k5d5657acm 是 一个 multi 碎片 包装 记忆 这个 结合 256mbit 与非 flash 记忆 和 256mbit 同步的 高
数据 比率 动态 内存.
256mbit 与非 flash 记忆 是 有组织的 作 32m x8 位 和 256mbit sdram 是 有组织的 作 4m x16 位 x4 banks.
在 256mbit 与非 flash, 一个 528-字节 页 程序 能 是 典型地 达到 在里面 200us 和 一个 16k-字节 块 擦掉 能 是 typi-
cally 达到 在里面 2ms. 在 串行 读 运作, 一个 字节 能 是 读 用 50ns. dq 管脚 提供 作 这 端口 为 地址 和 数据
输入/输出 作 好 作 command 输入. 甚至 这 写-intensive 系统 能 引领 有利因素 的 flash
′
s 扩展 可靠性 的
100k 程序/擦掉 循环 和 real 时间 mapping-输出 algorithm. 这些 algorithms 有 被 执行 在 许多 mass 存储
产品.
在 256mbit sdram, 同步的 设计 制造 一个 设备 控制 precisely 和 这 使用 的 系统 时钟 和 i/o transactions 是
可能 在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 发生率, 可编程序的 burst 长度 和 可编程序的 latencies 准许 这
一样 设备 至 是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽, 高 效能 记忆 系统 产品.
这 k5d5657acm 是 合适的 为 使用 在 数据 记忆 的 mobile 交流 系统 至 减少 不 仅有的 挂载 范围 但是 也 电源
消耗量. 这个 设备 是 有 在 107-球 fbga 类型.
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