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资料编号:434922
 
资料名称:K7I161882B-FC16
 
文件大小: 378.53K
   
说明
 
介绍:
512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
512kx36 &放大; 1mx18 ddrii cio b2 sram
- 5 -
rev 3.1
july. 2004
K7I163682B
K7I161882B
这 k7i163682b 和 k7i1161882b 是 18,874,368-位 ddr 一般 i/o
同步的 pipelined burst srams.
它们 是 有组织的 作 524,288 words 用 36bits 为 k7i163682b 和 1,048,576 words 用 18 位 为 k7i161882b 为 k7i160882b.
地址, 数据 输入, 和 所有 控制 信号 是 同步 至 这 输入 时钟 ( k 或者 k
).
正常情况下 数据 输出 是 同步 至 输出 clocks ( c 和 c
), 但是 当 c 和 c是 系 高,
这 数据 输出 是 同步 至 这 输入 clocks ( k 和 k
).
读 数据 是 关联 至 echo 时钟 ( cq 或者 cq
) 输出.
读 地址 和 写 地址 是 注册 在 rising edges 的 这 输入 k clocks.
一般 地址 总线 是 使用 至 进入 地址 两个都 为 读 和 写 行动.
这 内部的 burst 计数器 是 fiexd 至 2-位 sequential 为 两个都 读 和 写 行动.
同步的 pipeline 读 和 late 写 使能 高 速 行动.
简单的 depth expansion 是 accomplished 用 使用 ld
为 端口 选择.
字节 写 运作 是 supported 和 bw
0
和 bw
1
( bw
2
和 bw
3)
管脚 为 x18 ( x36 ) 设备.
ieee 1149.1 串行 boundary scan (jtag) 使简化 monitoriing 包装 焊盘 attachment 状态 和 系统.
这 k7i163682b 和 k7i161882b 是 执行 和 samsung's 高 效能 6t cmos 技术
和 是 有 在 165pin fbga 包装. 多样的 电源 和 地面 管脚 降低 地面 bounce.
一般 描述
读 行动
读 循环 是 initiated 用 初始的 r/w作 高 在 这 rising 边缘 的 这 积极的 输入 时钟 k.
地址 是 提交 和 贮存 在 这 读 地址 寄存器 同步 和 k 时钟.
为 2-位 burst ddr 运作, 它 将 进入 二 36-位 或者 18-位 数据 words 和 各自 读 command.
这 第一 pipelined 数据 是 transfered 输出 的 这 设备 triggered 用 c
时钟 下列的 next k时钟 rising 边缘.
next burst 数据 是 triggered 用 这 rising 边缘 的 下列的 c 时钟 rising 边缘.
持续的 读 行动 是 initated 和 k 时钟 rising 边缘.
和 pipelined 数据 是 transferred 输出 的 设备 在 每 rising 边缘 的 两个都 c 和 c
clocks.
在 情况 c 和 c
系 至 高, 输出 数据 是 triggered 用 k 和 kinsted 的 c 和 c.
当 这 ld
是 无能 之后 一个 读 运作, 这 k7i163682b 和 k7i161882b 将 第一 完全
burst 读 运作 在之前 进去 在 deselect 模式 在 这 next k 时钟 rising 边缘.
然后 输出 驱动器 无能 automatically 至 高 阻抗 状态.
echo 时钟 运作
至 使确信 这 输出 tracibility, 这 sram 提供 这 输出 echo 时钟, 一双 的 compliment 时钟 cq 和 cq,
这个 是 同步 和 内部的 数据 输出.
echo clocks run 自由 在 正常的 运作.
这 echo 时钟 是 triggered 用 内部的 输出 时钟 信号, 和 transfered 至 外部 通过 一样 结构
作 输出 驱动器.
这 下列的 电源-向上 供应 电压 应用 是 推荐: v
SS
, v
DD
, v
DDQ
, v
REF
, 然后 v
. v
DD
和 v
DDQ
能 是 应用
同时发生地, 作 长 作 v
DDQ
做 不 超过 v
DD
用 更多 比 0.5v 在 电源-向上. 这 下列的 电源-向下 供应 电压
除去 sequence 是 推荐: v
, v
REF
, v
DDQ
, v
DD
, v
SS
. v
DD
和 v
DDQ
能 是 移除 同时发生地, 作 长 作 v
DDQ
做 不 超过 v
DD
用 更多 比 0.5v 在 电源-向下.
电源-向上/电源-向下 供应 电压 sequencing
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