©2002 仙童 半导体 公司
KSC1393
rev. b1, 九月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 反转 电容
图示 5. 电流 增益 带宽 产品
012345678910
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
= 200
µ
一个
I
B
= 180
µ
一个
I
B
= 160
µ
一个
I
B
= 140
µ
一个
I
B
= 120
µ
一个
I
B
= 100
µ
一个
I
B
= 80
µ
一个
I
B
= 60
µ
一个
I
B
= 40
µ
一个
I
B
= 20
µ
一个
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.1 1 10
10
100
V
CE
= 2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
I
C
=10I
B
V
是
(sat)
V
CE
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
1 100
0.1
1
10
f=1MHz
I
E
=0
C
re
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.1 1 10 100
10
100
1000
10000
V
CE
= 10v
f
T
[mhz],
电流 增益-带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流
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