©2002 仙童 半导体 公司
KSH112
rev. a4, october 2002
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级 输出 电容 图示 4. 转变 在 时间
图示 5. 转变 止 时间 图示 6. safe 运行 范围
0.01 0.1 1 10
10
100
1000
10000
V
CE
= 3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 250 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
1
10
100
1000
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.01 0.1 1 10
0.1
1
10
V
CC
=30V
I
C
=250I
B
t
D
t
R
t
R
,t
D
(
µ
s), 转变 在 时间
I
C
[a], 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.1
1
10
V
CC
=30V
I
C
=250I
B
t
F
t
STG
t
STG
,t
F
[
µ
s], 转变 止 时间
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
5ms
100
µ
s
1ms
直流
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压