©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 十一月 2002
KST3906
P
np epitaxi一个lSiliconTr一个nsi贮存
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 -40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 -40 V
V
EBO
发射级-根基 电压 -5 V
I
C
集电级 电流 -200 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 350 mW
T
STG
存储 温度 150
°
C
标识 参数 测试 情况
最小值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= -10
µ
一个, i
E
=0
-40 V
BV
CEO
* 集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= -1.0ma, i
B
=0
-40 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=10
µ
一个, i
C
=0
-5 V
I
CEX
集电级 截-止 电流 V
CE
= -30v, v
EB
= -3v
-50 nA
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= -1v, i
C
= -0.1ma
V
CE
= -1v, i
C
= -1ma
V
CE
= -1v, i
C
= -10ma
V
CE
= -1v, i
C
= -50ma
V
CE
= -1v, i
C
= -100ma
60
80
100
60
30
300
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -1ma
I
C
= -50ma, i
B
= -5.0ma
-0.25
-0.4
V
V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -1.0ma
I
C
= -50ma, i
B
= -5.0ma
-0.65 -0.85
-0.95
V
V
f
T
电流 增益 带宽 产品 I
C
= -10ma, v
CE
= -20v
f=100MHz
250 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= -5v, i
E
=0, f=1.0mhz
4.5 pF
NF 噪音 图示 I
C
= -100
µ
一个, v
CE
= -5v
R
S
=1K
Ω
f=10hz 至 15.7khz
4dB
t
在
转变 在 时间 V
CC
= -3v, v
是
= -0.5v
I
C
= -10ma, i
B1
= -1ma
70 ns
t
止
转变 止 时间 V
CC
= -3v, i
C
= -10ma
I
B1
=I
B2
= -1ma
300 ns
KST3906
一般 目的 晶体管
2A
标记
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
sot-23
1
2
3
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