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资料编号:441625
 
资料名称:KTA1385D
 
文件大小: 400.91K
   
说明
 
介绍:
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)
 
 


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2003. 3. 27 2/3
kta1385d/l
修订 非 : 3
-6
集电级 电流 i (一个)
C
-10
-1.2-0.8-0.40
集电级-发射级 电压 v (v)
CE
CEC
i - v
pc - ta
包围的 温度 ta ( c)
0
0
电源 消耗 p (w)
C
50 100 150 200 250
5
10
15
20
25
情况 温度 tc ( c)
i 减额 d (%)
0
0
120
50
160
200100 150
d - t
TC
T
C
40
80
0
-2
-20
-80-40 -60 -100
s/b 限制
消耗 限制
safe 运行 范围
CE
集电级-发射级 电压 v (v)
-1 -3 -10
-30
-0.1
C
集电级 电流 i (一个)
-100
-0.3
-0.5
-1
-3
-5
-10
-5 -50
2mS*
10mS*
200mS*
消耗 limited
s/b 限制
v 最大值
CEO
i 最大值
i (脉冲波)最大值.*
C
safe 运行 范围
-4
-6
-8
-10
25 75 125 175
20
60
100
140
v (sus)
CEO
集电级 电流 i (一个)
C
集电级-发射级 电压 v (v)
CE
-1.2 -1.6 -2.0
-2
-4
-8
i =0ma
B
i =-10ma
B
i =-20ma
B
i =-30ma
B
i =-40ma
B
i =-60ma
B
i =-80ma
B
i =-100ma
B
i =-150ma
B
i =-200ma
B
直流 电流 增益 h
FE
-0.01
集电级 电流 i (一个)
C
h - i
FE
C
-0.03 -0.1 -0.3 -1 -3 -10
1
3
5
10
30
50
100
300
500
1k
v =-2v
CE
v =-1v
CE
C
* 单独的 nonrepetive
搏动 tc=25 c
曲线 必须 是 derated
linerly 和 增加
在 温度
ta=25 c
tc=25 c
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