自举 驱动器
一个 自举 电路系统 是 需要 至 供应 这 高
电压 部分. 这个 函数 是 正常情况下 accom-
plished 用 一个 高 电压 快 恢复 二极管 (图.
4a). 在 这 L6386 一个 专利的 整体的 结构
替代 the 外部 二极管. 它 是 认识到 用 一个
高 电压 dmos, 驱动 synchronously 和
这 低 一侧 驱动器 (lvg), 和 在 序列 一个 二极管,
作 显示 在 图. 4b
一个 内部的 承担 打气 (图. 4b) 提供 这
DMOS 驱动 电压 .
这 二极管 连接 在 序列 至 这 DMOS 有
被 增加 至 避免 不想要的 转变 在 的 它.
CBOOT 选择 和 charging
:
至 choose 这 恰当的 C
激励
值 这 外部
MOS 能 是 seen 作 一个 相等的 电容.
这个 电容 C
EXT
是 related 至 这 MOS 总的
门 承担 :
C
EXT
=
Q
门
V
门
这 比率 在 the 电容 C
EXT
和 C
激励
是 均衡的 至 这 cyclical 电压 丧失 .
它 有 至 是:
C
激励
>>>c
EXT
e.g.: 如果 Q
门
是 30nC 和 V
门
是 10v, C
EXT
是
3nf. 和 C
激励
= 100nF 这 漏出 将 是
300mv.
如果 HVG 有 至 是 有提供的 为 一个 长 时间, 这
C
激励
选择 有 至 引领 在 账户 也 这
泄漏 losses.
e.g.: HVG 稳步的 状态 消耗量 是 更小的 比
200
µ
一个, 所以 如果 HVG T
在
是 5ms, C
激励
有 至
供应 1
µ
CtoC
EXT
. 这个 承担 在 一个 1
µ
fca-
pacitor 意思 一个 电压 漏出 的 1v.
这 内部的 自举 驱动器 给 好 advan-
tages: 这 外部 快 恢复 二极管 能 是
避免 (它 通常地 有 好 泄漏 电流).
这个 结构 能 工作 仅有的 如果 V
输出
是 关闭 至
地 (或者 更小的) 和 在 这 meanwhile 这 LVG 是
在. 这 charging 时间 (t
承担
) 的 这 C
激励
是
这 时间 在 这个 两个都 情况 是 fulfilled 和
它 有 至 是 长 足够的 至 承担 这 电容.
这 自举 驱动器 introduces 一个 电压 漏出
预定的 至 这 DMOS R
DSON
(典型 值: 125
ohm). 在 低 频率 这个 漏出 能 是 ne-
glected. Anyway 增加 这 频率 它
必须 是 带去 在 至 账户.
这 下列的 等式 是 有用的 至 计算 这
漏出 在 这 自举 dmos:
V
漏出
=
I
承担
R
dson
→
V
漏出
=
Q
门
T
承担
R
dson
在哪里 Q
门
是 这 门 承担 的 这 外部
电源 mos, R
dson
是 这 在 阻抗 的 这
自举 dmos, 和 T
承担
是 这 charging 时间
的 这 自举 电容.
为 例子: 使用 一个 电源 MOS 和 一个 总的
门 承担 的 30nC 这 漏出 在 这 自举
DMOS 是 关于 1v, 如果 这 T
承担
是 5
µ
s. 在 事实:
V
漏出
=
30nC
5
µ
s
⋅
125
Ω
~
0.8v
V
漏出
有 至 是 taken 在 账户 当 这 volt-
age 漏出 在 C
激励
是 计算: 如果 这个 漏出 是
too 高, 或者 这 电路 topology doesn’t 准许 一个
sufficient charging 时间, 一个 外部 二极管 能 是
使用.
至 加载
D99IN1056
h.v.
HVG
ab
LVG
HVG
LVG
C
激励
至 加载
h.v.
C
激励
D
激励
V
激励
V
S
V
S
V
输出
V
激励
V
输出
图示 4. 自举 驱动器.
L6386
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