电的 特性
(8v
≤
V
S
≤
24v; -40
°
C
≤
T
j
≤
150
°
c; 4.5v
≤
V
CC
≤
5.5v, 除非 oth-
erwise 指定.)
1)
标识 参数 测试 情况 最小值 Typ. 最大值 单位
供应
是
85
总的 供应 电流
I
S
+I
VCC
(两个都 Bridges 止)
V
S
= 14V
EN = 高
T
J
≤
85
°
C
40 100
µ
一个
I
SOP
运行 供应 电流 I
输出 ai/bi
=0
f
OSC
= 30kHz
V
S
= 14V
4.5 毫安
I
CC
5V 供应 电流 EN = 低 1.4 10 毫安
全部 BRIDGES
R
输出, 下沉
R
DSON
的 下沉 晶体管 电流 位
结合体 ll, lh,
V
S
≥
12V
0.4 0.7
Ω
R
输出, 源
RDSON 的 源 晶体管 0.4 0.7
Ω
R
out8, 下沉
RDSON 的 下沉 晶体管 +
R
DSON
的 源 晶体管
电流 位
结合体 ll, lh,
V
S
=8V
1.6 3
Ω
V
FWD
向前 电压 的 这 DMOS
身体 二极管
EN = 高
I
FWD
= 1a; V
S
≥
12V
1 1.4 V
V
REV
反转 DMOS 电压 EN = 低
I
REV
=1A
0.5 0.9 V
t
r
,t
f
上升 和 下降 时间 的 输出
输出
ai/bi
0.1...0.9 V
输出
V
S
= 14V
Chopping 550mA
0.3 0.6 1.5
µ
s
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
S
直流 供应 电压 -0.3 至 35 V
V
SPulsed
搏动 供应 电压 T < 400ms -0.3 至 40 V
V
输出 (ai/bi)
输出 电压 内部 clamped 至 V
S
或者 地 取决于 在 这
电流 方向
I
输出 (ai/bi)
直流 输出 电流
顶峰 输出 电流 (t/tp
≥
10)
±
1.2
±
2.5
一个
一个
V
sra/srb
Sense 电阻 电压 -0.3 至 6.2 V
V
CC
逻辑 供应 电压 -0.3 至 6.2 V
V
CDRV
承担 打气 缓存区 电压 相比 V
S
-0.3 至 10 V
V
SCK
,v
SDI
,
V
CSN
,v
EN
逻辑 输入 电压 -2 至 8 V
V
OSC
,v
SDO
振荡器 电压 范围, 逻辑 输出 -0.3 至 V
CC
+0.3 V
便条: 静电释放 为 所有 管脚, 除了 管脚 sdo, SRA 和 srb, 是 符合 至 mil883c, 测试 在 2kv, corresponding 至 一个 最大 活力
消耗 的 0.2mj. sdo, SRA 和 SRB 管脚 是 测试 和 800v.
热的 数据
标识 参数 值 单位
R
th j-情况
典型 热的 阻抗 接合面 至 情况 5
°
c/w
R
th j-amb
典型 热的 阻抗 接合面 至 包围的
(6cm
2
地面 平面 35
µ
m thhickness)
35
°
c/w
R
th j-amb, FR4
典型 热的 阻抗 接合面 至 包围的
(焊接 在 一个 FR 4 板 和 通过 孔 为 热温 转移
和 外部 热温 下沉 应用)
8
°
c/w
T
S
存储 温度 -40 至 150
°
C
T
SD
典型 热的 shut-向下 温度 180
°
C
L9935
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