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资料编号:448050
 
资料名称:LDA110S
 
文件大小: 69K
   
说明
 
介绍:
Solid State Current Sensors
 
 


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1

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LDA111
rev. 3
绝对 最大 比率 是 压力 比率. 函数的
在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个
数据 薄板 是 不 暗指. 暴露 的 这 设备 至 这
绝对 最大 比率 为 一个 扩展 时期 将
降级 这 设备 和 效应 它的 可靠性.
绝对 最大 比率 (@ 25
o
c)
2
电的 特性
参数 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
输出 特性 @ 25°c
phototransistor blocking 电压 I
C
=10µA BV
CEO
20 50 - V
phototransistor 输出 电流 V
CE
=5v, i
F
=0mA I
CEO
- 50 500 nA
饱和 电压 I
C
=2ma, i
F
=16mA V
SAT
-- -v
I
C
=.15ma, i
F
=.05ma - 0.5 0.5 V
电流 转移 比率 I
F
=6ma, v
CE
=0.5v CTR 300 1000 - %
输出 电容 50v, f=1 mhz C
输出
-3 -pf
电容
输入 至 输出 - - - - - -pf
输入 特性 @ 25°c
输入 控制 电流 I
C
=2ma, v
CE
=0.5v I
F
2 1 100 毫安
输入 电压 漏出 I
F
=5mA V
F
0.9 1.2 1.4 V
输入 反转 电压 - V
R
-- 5V
(lda101, lda111)
输入 反转 电流 V
R
=5V I
R
-- 10nA
(lda101, lda111)
一般 特性 @ 25°c
输入 至 输出 分开 - V
i/o
3750 - - V
RMS
参数 最小值 典型值 最大值 单位
输入 电源 消耗 - - 150
1
mW
输入 控制 电流 - - 100 毫安
顶峰 (10ms) - - 1 一个
反转 输入 电压 - - 5 V
Phototransistor - - 150
2
mW
电源 消耗
总的 包装 消耗 - - 800
3
mW
分开 电压
输入 至 输出 3750 - - V
RMS
运算的 温度 -40 - +85
°
C
存储 温度 -40 - +125
°
C
焊接 温度
插件 包装 - - +260
°
C
表面 挂载 包装 - - +220
°
C
(10 秒 最大值.)
1
减额 成直线地 1.33 mw/
o
C
2
减额 成直线地 2.0 mw/
o
C
3
减额 成直线地 6.67 mw/
o
C
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