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lh28f800bg-l (为 sop)
command 和 地址 的 这 location 至 是 写.
这 cui 做 不 occupy 一个 addressable 记忆
location. 它 是 写 当 we# 和 ce# 是
起作用的. 这 地址 和 数据 需要 至 execute 一个
command 是 latched 在 这 rising 边缘 的 we# 或者
ce# (whichever 变得 高 第一). 标准
微处理器 写 timings 是 使用.
图. 12
和
图. 13
illustrate we# 和 ce# 控制 写
行动.
4 command 定义
当 这 v
PP
电压
≤
V
PPLK
, 读 行动
从 这 状态 寄存器, identifier 代号, 或者 blocks
是 使能. 放置 v
pph1/2/3
在 v
PP
使能
successful 块 擦掉 和 文字 写 行动.
设备 行动 是 选择 用 writing 明确的
commands 在 这 cui.
表格 3
定义 这些
commands.
表格 2 总线 行动
模式 便条 RP# CE# OE# WE#
地址
V
PP
DQ
0-15
ry/by#
读 1, 2, 3, 8
V
IH
或者 v
HH
V
IL
V
IL
V
IH
XXD
输出
X
输出 使不能运转 3
V
IH
或者 v
HH
V
IL
V
IH
V
IH
X X 高 z X
备用物品 3
V
IH
或者 v
HH
V
IH
XXXX高 z X
深的 电源-向下 4 V
IL
XXXXX高 z V
OH
读 identifier 代号 8
V
IH
或者 v
HH
V
IL
V
IL
V
IH
看
图. 2
x(
便条 5)
V
OH
写 3, 6, 7, 8
V
IH
或者 v
HH
V
IL
V
IH
V
IL
XXD
在
X
注释 :
1. 谈及 至
部分 6.2.3 "直流 特性"
.
当 v
PP
≤
V
PPLK
, 记忆 内容 能 是 读, 但是
不 改变.
2. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
为 控制 管脚 和 地址, 和
V
PPLK
或者 v
pph1/2/3
为 v
PP
. 看
部分 6.2.3 "直流
特性"
为 v
PPLK
和 v
pph1/2/3
电压.
3. ry/by# 是 v
OL
当 这 wsm 是 executing 内部的
块 擦掉 或者 文字 写 algorithms. 它 是 v
OH
在
当 这 wsm 是 不 busy, 在 块 擦掉 suspend
模式 (和 文字 写 inactive), 文字 写 suspend
模式 或者 深的 电源-向下 模式.
4. rp# 在 gnd±0.2 v 确保 这 最低 深的 电源-
向下 电流.
5. 看
部分 4.2
为 读 identifier 代号 数据.
6. command 写 involving 块 擦掉 或者 文字 写 是
reliably executed 当 v
PP
= v
pph1/2/3
和 v
CC
=
V
cc1/2/3/4
. 块 擦掉 或者 文字 写 和 v
IH
< rp# <
V
HH
生产 spurious 结果 和 应当 不 是
attempted.
7. 谈及 至
表格 3
为 有效的 d
在
在 一个 写 运作.
8. don’t 使用 这 定时 两个都 oe# 和 we# 是 v
IL
.
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