首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:450160
 
资料名称:LH28F800BG
 
文件大小: 242.67K
   
说明
 
介绍:
8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memory
 
 


: 点此下载
  浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第4页
4

5
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号LH28F800BG的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
lh28f800bg-l (为 sop)
1 介绍
这个 数据手册 包含 lh28f800bg-l speci-
fications. 部分 1 提供 一个 flash 记忆
overview. sections 2, 3, 4 和 5 describe 这
记忆 organization 和 符合实际. 部分 6
覆盖 电的 规格. lh28f800bg-l
flash 记忆 必备资料 也 包含 订货
信息 这个 是 关联 在 部分 7.
1.1 新 特性
关键 增强 的 lh28f800bg-l smartvoltage
flash 记忆 是 :
smartvoltage 技术
增强 suspend 能力
激励 块 architecture
便条 下列的 重要的 differences :
•V
PPLK
有 被 lowered 至 1.5 v 至 支持
2.7 v, 3.3 v 和 5 v 块 擦掉 和 文字
写 行动. 设计 那 转变 v
PP
在 读 行动 应当 制造 确信 那
这 v
PP
电压 transitions 至 地.
准许 v
PP
连接 至 2.7 v, 3.3 v 或者 5 v.
1.2 产品 overview
这 lh28f800bg-l 是 一个 高-效能 8 m-位
smartvoltage flash 记忆 有组织的 作 512 k-
文字 的 16 位. 这 512 k-文字 的 数据 是 arranged
在 二 4 k-文字 激励 blocks, 六 4 k-文字 参数
individually 可擦掉的 在-系统. 这 记忆 编排 是
显示 在
图. 1
.
smartvoltage 技术 提供 一个 选择 的 v
CC
和 v
PP
结合体, 作 显示 在
表格 1
, 至
满足 系统 效能 和 电源 expectations.
2.7 v v
CC
消费 大概 一个-fifth 这
电源 的 5 v v
CC
和 3.3 v v
CC
消费
大概 一个-fourth 这 电源 的 5 v v
CC
.
但是, 5 v v
CC
提供 这 最高的 读
效能. v
PP
在 2.7 v, 3.3 v 和 5 v
排除 这 需要 为 一个 独立的 12 v 转换器,
当 v
pp =
12 v maximizes 块 擦掉 和 文字
写 效能. 在 增加 至 有伸缩性的 擦掉 和
程序 电压, 这 专心致志的 v
PP
管脚 给
完全 数据 保护 当 v
PP
V
PPLK
.
表格 1 v
CC
和 v
PP
电压 结合体
offered 用 smartvoltage 技术
内部的 v
CC
和 v
PP
发现 电路系统 自动-
matically configures 这 设备 为 优化 读
和 写 行动.
一个 command 用户 接口 (cui) serves 作 这
接口 在 这 系统 处理器 和
内部的 运作 的 这 设备. 一个 有效的 command
sequence 写 至 这 cui initiates 设备
automation. 一个 内部的 写 状态 机器 (wsm)
automatically executes 这 algorithms 和 timings
需要 为 块 擦掉 和 文字 写
行动.
一个 块 擦掉 运作 erases 一个 的 这 设备的
32 k-文字 blocks 典型地 在里面 0.39 第二 (5 v
V
CC
, 12 v v
PP
), 4 k-文字 blocks 典型地 在里面
0.25 第二 (5 v v
CC
, 12 v v
PP
) 独立 的
其它 blocks. 各自 块 能 是 independently
erased 100 000 时间. 块 擦掉 suspend 模式
准许 系统 软件 至 suspend 块 擦掉 至
读 数据 从, 或者 写 数据 至 任何 其它 块.
writing 记忆 数据 是 执行 在 文字 increments
的 这 设备的 32 k-文字 blocks 典型地 在里面 8.4 µs
17 µs (5 v v
CC
, 12 v v
PP
). 文字 写 suspend
模式 使能 这 系统 至 读 数据 从, 或者 写
数据 至 任何 其它 flash 记忆 排列 location.
V
CC
电压 V
PP
电压
2.7 v 2.7 v, 3.3 v, 5 v, 12 v
3.3 v 3.3 v, 5 v, 12 v
5 v 5 v, 12 v
- 5 -
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com