绝对 最大 比率
(便条 7)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压
±
20V
电源 消耗 (便条 2) 500 mW
差别的 输入 电流 (便条 3)
±
10 毫安
输入 电压 (便条 4)
±
15V
输出 短的-电路 持续时间 持续的
运行 温度 范围
LM118 −55˚C 至 +125˚C
LM218 −25˚C 至 +85˚C
LM318 0˚C 至 +70˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒.)
密封的 包装 300˚C
塑料 包装 260˚C
焊接 信息
双-在-线条 包装
焊接 (10 秒.) 260˚C
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接
表面 挂载 设备.
静电释放 容忍 (便条 8) 2000V
电的 特性
(便条 5)
参数 情况 lm118/lm218 LM318 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
输入 补偿 电压 T
一个
= 25˚C 2 4 4 10 mV
输入 补偿 电流 T
一个
= 25˚C 6 50 30 200 nA
输入 偏差 电流 T
一个
= 25˚C 120 250 150 500 nA
输入 阻抗 T
一个
= 25˚C 1 3 0.5 3 M
Ω
供应 电流 T
一个
= 25˚C 5 8 5 10 毫安
大 信号 电压 增益 T
一个
= 25˚c, V
S
=
±
15V 50 200 25 200 v/mv
V
输出
=
±
10v, R
L
≥
2k
Ω
回转 比率 T
一个
= 25˚c, V
S
=
±
15v, 一个
V
= 1 50 70 50 70 v/µs
(便条 6)
小 信号 带宽 T
一个
= 25˚c, V
S
=
±
15V 15 15 MHz
输入 补偿 电压 615mV
输入 补偿 电流 100 300 nA
输入 偏差 电流 500 750 nA
供应 电流 T
一个
= 125˚C 4.5 7 毫安
大 信号 电压 增益 V
S
=
±
15v, V
输出
=
±
10V 25 20 v/mv
R
L
≥
2k
Ω
输出 电压 摆动 V
S
=
±
15v, R
L
=2k
Ω
±
12
±
13
±
12
±
13 V
输入 电压 范围 V
S
=
±
15V
±
11.5
±
11.5 V
一般模式 拒绝 比率 80 100 70 100 dB
供应 电压 拒绝 比率 70 80 65 80 dB
便条 2:
这 最大 接合面 温度 的 这 LM118 是 150˚c, 这 LM218 是 110˚c, 和 这 LM318 是 110˚c. 为 运行 在 提升 温度, 设备
在 这 H08 包装 必须 是 derated 为基础 在 一个 热的 阻抗 的 160˚c/w, 接合面 至 包围的, 或者 20˚c/w, 接合面 至 情况. 这 热的 阻抗 的 这
双-在-线条 包装 是 100˚c/w, 接合面 至 包围的.
便条 3:
这 输入 是 shunted 和 后面的-至-后面的 二极管 为 超（电）压 保护. 因此, 过度的 电流 将 流动 如果 一个 差别的 输入 电压 在 excess 的
1V 是 应用 在 这 输入 除非 一些 限制的 阻抗 是 使用.
便条 4:
为 供应 电压 较少 比
±
15v, 这 绝对 最大 输入 电压 是 equal 至 这 供应 电压.
便条 5:
这些 规格 应用 为
±
5V
≤
V
S
≤
±
20V 和 −55˚C
≤
T
一个
≤
+125˚C (lm118), −25˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C (lm218), 和 0˚C
≤
T
一个
≤
+70˚C (lm318). 也,
电源 供应 必须 是 绕过 和 0.1 µF disc 电容.
便条 6:
回转 比率 是 测试 和 V
S
=
±
15v. 这 LM118 是 在 一个 统一体-增益 非-反相的 配置. V
在
是 stepped 从 −7.5v 至 +7.5v 和 恶行 对抗. 这 回转
比率 在 −5.0v 和 +5.0v 和 恶行 对抗 是 测试 和 有保证的 至 超过 50v/µs.
便条 7:
谈及 至 RETS118X 为 LM118H 和 LM118J 军队 规格.
便条 8:
人 身体 模型, 1.5 k
Ω
在 序列 和 100 pf.
lm118/lm218/lm318
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