绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
静电释放 容忍
人 身体 模型 2000V (便条 2)
机器 模型 200V (便条 3)
输出 短的 电路 持续时间 (便条 4), (便条 5)
供应 电压 (v
+
–V
−
) 13V
电压 在 输入/输出 管脚 V
+
+0.8v, V
−
−0.8v
焊接 信息
Infrared 或者 Convection (20 秒.) 235˚C
波 焊接 (10 秒.) 260˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
接合面 温度 +150˚C
运行 比率
(便条 1)
供应 电压 (v
+
-v
−
) 3 - 10V
运行 温度
范围 (便条 6), (便条 7) −40˚C 至 +85˚C
包装 热的 阻抗 (便条 6), (便条 7)
8-管脚 SOIC 172˚c/w
5-管脚 SOT23 235˚c/w
±
5V 电的 特性
除非 否则 指定, 所有 限制 有保证的 为 T
J
= 25˚c, V
+
= +5v, V
−
= −5v, V
O
=V
CM
= 0V 和 R
L
= 100
Ω
至 0v.
黑体字
限制 应用 在 这 温度 extremes.
标识 参数 情况
最小值
(便条 9)
典型值
(便条 8)
最大值
(便条 9)
单位
频率 Domain 回馈
SSBW 小 信号 带宽 V
O
<
0.5v
PP
1750 MHz
GFN 增益 Flatness
<
0.1db V
O
<
0.5v
PP
200 MHz
FPBW 全部 电源 带宽 (−3db) V
O
=2V
PP
(+10dbm) 1050 MHZ
DG 差别的 增益 R
L
= 150
Ω
至 0v;
f = 3.58 MHz
0.06 %
DP 差别的 阶段 R
L
= 150
Ω
至 0v;
f = 3.58 MHz
0.02 deg
时间 Domain 回馈
t
r
上升 时间 3.3v 步伐 (20-80%) 0.4 ns
t
f
下降 时间 0.5 ns
t
s
安排好 时间 至
±
0.1% 3.3v 步伐 9 ns
OS 越过 1V 步伐 4 %
SR 回转 比率 (便条 11) 4580 v/µs
扭曲量 和 噪音 效能
HD2 2
nd
调和的 扭曲量 V
O
=2V
PP
; f = 20MHz −58 dBc
HD3 3
rd
调和的 扭曲量 V
O
=2V
PP
; f = 20MHz −53 dBc
THD 总的 调和的 扭曲量 V
O
=2V
PP
; f = 20MHz −52 dBc
e
n
输入-涉及 电压 噪音 f = 1MHz 2.8 nv/
CP 1dB 压缩 要点 f = 10MHz +23 dBm
SNR 信号 至 噪音 比率 f = 5mhz; V
O
=1V
PP
120 dB
静态的, 直流 效能
一个
CL
小 信号 电压 增益 V
O
= 100mV
PP
R
L
= 100
Ω
至 0V
.97
.996
v/v
V
O
= 100mV
PP
R
L
=2k
Ω
至 0V
.99
.998
V
OS
输入 补偿 电压 3 20
25
mV
TC V
OS
温度 系数 输入
补偿 电压
(便条 12) 23 µv/˚c
I
B
输入 偏差 电流 (便条 10) −10
−14
−3 µA
TC I
B
温度 系数 输入
偏差 电流
(便条 12) −3.6 na/˚c
LMH6559
www.国家的.com 2