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资料编号:456659
 
资料名称:LT4351
 
文件大小: 270.72K
   
说明
 
介绍:
MOSFET Diode-OR Controller
 
 


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LT4351
9
sn4351 4351fs
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
设置 故障 门槛
这 门 驱动 放大器 实现 这 完美的 二极管 func-
tion. 这 故障 comparators (uv 和 ov) 阻止 输出 的
范围 输入 电压 从 影响 这 输出 用 disabling
这 放大器 在 这些 情况. think 的 这 uv 和
ov 作 gating 这 完美的 二极管 函数, something 一个 regular
二极管 能’t 做.
一个 resistive 分隔物 从 v
至 uv 和 一个 从 v
至 ov
是 这 方法 的 设置 这 故障 门槛. 为 uv
这 电阻 值 是 设置 用:
R
UV
I
R
V
UV V
R
HYST
UVHYST
UV
故障 UV
2
12
=
=
在哪里 uv
HYST
是 这 desired 欠压 hysteresis 在
这 输入. uv
故障
是 这 desired 欠压 trip 电压
在 这 输入. v
UV
是 这 部分 欠压 trip 要点 (0.3v)
和 i
HYSTUV
是 这 欠压 hysteresis 电流 (10
µ
一个).
看 图示 1.
这 分隔物 在 这 ov 管脚 是 一个 straightforward resistive
分隔物 (图示 2):
R
OV
V
R
R
V
R R 分隔物 电流
B
故障
OV
一个
一个
AB
=
=
.
,
1
03
在哪里 ov
故障
是 这 desired 超(电)压 trip 要点 在 这
输入 和 v
OV
是 这 ov 管脚 门槛 (0.3v). 这 ov 管脚
有 7mv 的 电压 hysteresis 在 房间.
它 是 可能 至 做 两个都 dividers 一起 使用 仅有的 三
电阻器 though 和 更多 interdependence 在 混合-
nents (图示 3). 这 输入 偏差 电流 为 uv 和 ov 是
较少 比 200na, 所以 保持 电阻 值 较少 比 10k.
R2
R1
UV
I
HYS
10
µ
一个
V
UV
300mV
V
uv turning 在 uv turning 止
R2
R1
UV
I
HYS
10
µ
一个
V
UV
300mV
4351 f01
V
图示 1
R
B
R
一个
OV
V
OV
300mV
4351 f02
V
图示 2
R2
R3
R1
OV
UV
4351 f03
V
图示 3
C1
R2A
R2B
R1
UV
4351 f04
V
图示 4
actively 低. 在 这 事件 的 v
DD
collapse 那里 安静的 是 一个
起作用的 拉-向下 (though 的 lesser 力量) 的 门
powered 从 输出, guaranteeing 转变 止.
这 在-碎片 boost 调整器 使用 一个 常量 止-时间
控制 scheme. 当 v
DD
是 在下 这 规章制度 trip
电压, 这 转变 转变 在 之后 一个 600ns 止-时间. 当
这 转变 转变 在 电流 ramps 向上 在 这 inductor 直到
这 电流 限制 是 reached (450ma). 这 转变 转变 止
和 这 inductor’s 电流 flows 通过 这 外部
二极管 至 承担 向上 这 v
DD
电容. 如果 v
DD
是 安静的 too 低,
这 转变 转变 在 又一次 之后 一个 fixed 止-时间 的 600ns.
这 boost 调整器 regulates v
DD
至 大概 10.7v
在之上 v
. 当 v
DD
是 在之上 这个 水平的, 这 sw 晶体管
转变-在 是 无能. 当 v
DD
falls 在下 这个 水平的 用 这
hysteresis 水平的, 这 sw 晶体管 是 允许 至 转变 在.
那里 是 大概 0.15v 的 hysteresis.
OPERATIO
U
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