lx1664/64a, lx1665/65a
14
ΩΩ
ΩΩ
Ω
表格 4 - 场效应晶体管 选择 手册
这个 表格 给 选择 的 合适的 fets 从 国际的 整流器.
所有 设备 在 至-220 包装. 为 表面 挂载 设备 (至-263 /
D
2
-pak), 增加 's' 至 部分 号码, e.g. irl3103s.
电流 限制
(持续)
在 具体情况 在哪里 r
L
是 所以 大 那 这 trip 要点 电流 将
是 更小的 比 这 desired 短的-电路 电流 限制, 一个 电阻 (r
S2
)
能 是 放 在 并行的 和 c
S
, 作 显示 在 图示 11. 这 选择
的 组件 是 作 跟随:
=
C
S
= =
*
又一次, 选择 (r
S2
//r
S
) < 10k
Ω
.
场效应晶体管 选择
至 insure 可依靠的 运作, 这 运行 接合面 温度
的 这 场效应晶体管 switches 必须 是 保持 在下 确实 限制. 这 intel
规格 states 那 115°c 最大 接合面 温度
应当 是 maintained 和 一个 包围的 的 50°c. 这个 是 达到
用 合适的 减额 这 部分, 和 用 足够的 热温 sinking. 一个
的 这 大多数 核心的 参数 为 场效应晶体管 选择 是 这 r
DS
在
阻抗. 这个 参数 直接地 contributes 至 这 电源
消耗 的 这 场效应晶体管 设备, 和 因此 impacts 热温 下沉 设计,
机械的 布局, 和 可靠性. 在 一般, 这 大 这
电流 处理 能力 的 这 场效应晶体管, 这 更小的 这 r
DS
在 将
是, 自从 更多 消逝 范围 是 有.
场效应晶体管 选择
(持续)
为 这 irl3102 (13m
Ω
R
ds(在)
), converting 5v 至 2.8v 在 14a
将 结果 在 典型 热温 消耗 的 1.48w.
同步的 整流
–
更小的 场效应晶体管
这 更小的 通过 元素 能 是 也 一个 场效应晶体管 或者 一个 肖特基
二极管. 这 使用 的 一个 场效应晶体管 (同步的 整流) 将 结果
在 高等级的 效率, 但是 在 高等级的 费用 比 使用 一个 肖特基 二极管
(非-同步的).
电源 dissipated 在 这 bottom 场效应晶体管 将 是:
P
D
= i
2
*
R
ds(在)
*
[1 - 职责 cycle] = 2.24w
[irl3303 或者 1.12w 为 这 irl3102]
catch 二极管
–
更小的 场效应晶体管
一个 低-电源 肖特基 二极管, 此类 作 一个 1n5817, 是 推荐
至 是 连接 在 这 门 和 源 的 这 更小的
场效应晶体管 当 运行 从 一个 12v-电源 供应 (看 图示 9).
这个 将 帮助 保护 这 控制 ic 相反 获得-向上 预定的 至 这
inductor 电压 going 负的. 虽然 获得-向上 是 unlikely, 这
使用 的 此类 一个 catch 二极管 将 改进 可靠性 和 是 高级地
推荐.
非-同步的 运作 - 肖特基 二极管
一个 典型 肖特基 二极管, 和 一个 向前 漏出 的 0.6v 将 dissipate
0.6
*
14
*
[1 – 2.8/5] = 3.7w (对照的 至 这 1.1 至 2.2w dissipated
用 一个 场效应晶体管 下面 这 一样 情况). 这个 电源 丧失
变为 更 更多 重大的 在 更小的 职责 循环 – synchro-
nous 整流 是 推荐 特别 当 一个 12v-电源
输入 是 使用. 这 使用 的 一个 双 肖特基 二极管 在 一个 单独的 至-220
包装 (e.g. 这 mbr2535) helps 改进 热的 消耗.
场效应晶体管 门 偏差
这 电源 mosfets 能 是 片面的 用 一个 的 二 方法:
承担 打气 或者 12v 供应 连接 至 v
C1
.
1)
承担 打气 (自举)
当 12v 是 有提供的 至 这 流 的 这 场效应晶体管, 作 在
图示 9, 这 门 驱动 needs 至 是 高等级的 比 12v 在 顺序
至 转变 这 场效应晶体管 在. 电容 c
10
和 二极管 d
2
&放大; d
3
是 使用 作 一个 承担 打气 电压 doubling 电路 至 raise
这 电压 的 v
C1
所以 那 这 tdrv 管脚 总是 提供 一个
高 足够的 电压 至 转变 在 q
1
. 这 12v 供应 必须
总是 是 连接 至 v
CC
至 提供 电源 为 这 ic
它自己, 作 好 作 门 驱动 为 这 bottom 场效应晶体管.
2)
12v 供应
当 5v 是 有提供的 至 这 流 的 q
1
, 一个 12v 供应 应当
是 连接 至 两个都 v
CC
和 v
C1
.
R
l (必需的)
R
l (真实的)
R
S2
R
S2
+ r
S
L
R
l (真实的)
*
(r
S2
// r
S
)
L
R
l (真实的)
R
S
+ r
S2
R
S2
*
R
S
这 推荐 解决方案 是 至 使用 irl3102 为 这 高 一侧
和 irl3303 为 这 低 一侧 场效应晶体管, 为 这 最好的 结合体 的 费用
和 效能. alternative 场效应晶体管’s 从 任何 生产者 可以
是 使用, 提供 它们 满足 这 一样 criteria 为 r
ds(在)
.
热温 dissipated 在 upper 场效应晶体管
这 热温 dissipated 在 这 顶 场效应晶体管 将 是:
P
D
= (i
2
*
R
ds(在)
*
职责 循环) + (0.51
*
V
在
*
t
SW
*
f
S
)
在哪里 t
SW
是 切换 转变 线条 为 身体 二极管 (~100ns)
和 f
S
是 这 切换 频率.
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