ESMT
M12L64322A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期: 将. 2004
修订
:
1.7 5/44
交流 运行 测试 情况
(v
DD
= 3.3v ± 0.3v
，
T
一个
= 0 至 70 C°)
参数 值 单位
输入 水平 (vih/vil) 2.4/0.4 V
输入 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输入 上升 和 下降-时间 tr/tf = 1/1 ns
输出 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输出 加载 情况 看 图. 2
(图. 1) 直流 输出 加载 电路 (图. 2) 交流 输出 加载 电路
运行 交流 参数
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
版本
参数 标识
-6 -7
单位 便条
行 起作用的 至 行 起作用的 延迟 t
rrd(最小值)
12 14 ns 1
RAS 至 CAS 延迟
t
rcd(最小值)
18 18 ns 1
行 precharge 时间 t
rp(最小值)
18 20 ns 1
t
ras(最小值)
42 42ns 1
行 起作用的 时间
t
RAS
(最大值) 100 美国
行 循环 时间 @ 运行 t
rc(最小值)
60 63 ns 1
last 数据 在 至 col. 地址 延迟 t
cdl(最小值)
1 clk 2
last 数据 在 至 行 precharge t
rdl(最小值)
2 clk 2
last 数据 在 至 burst 停止 t
bdl(最小值)
1 clk 2
Output
870
V
OH
(直流) =2.4v , i
OH
= -2 毫安
V
OL
(直流) =0.4v , i
OL
= 2 毫安
Output
30pF
z0 =50
30pF
50
vtt = 1.4v
3.3v
1200
Ω
Ω
Ω
Ω
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