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资料编号:459389
 
资料名称:M25P10-VMN6T
 
文件大小: 162.29K
   
说明
 
介绍:
1 Mbit Low Voltage Paged Flash Memory With 20 MHz Serial SPI Bus Interface
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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M25P10
这 设备 是 在 这 低 电源 备用物品 状态
(不 这 深的 电源 向下 模式).
这 碎片 是 deselected.
这 写 使能 获得 是 重置.
电源 向上 运作
在 顺序 至 阻止 数据 corruption 和 inadvertent
页 程序, 擦掉 或者 写 状态 寄存器
行动, 一个 内部的 v
CC
比较器 inhibits 所有
这些 特性 如果 这 v
CC
电压 是 更小的 比 v
WI
(看 表格 8).
once 这 电压 应用 在 这 v
CC
管脚 变得 在
这 v
WI
门槛 (v
CC
>v
WI
):
页 程序, 擦掉 和 写 状态 寄存器
行动 是 允许 之后 一个 时间-输出 的 t
PUW
,
作 指定 在 表格 8.
这个 时间-输出 延迟 准许 这 电压 应用
在 v
CC
管脚 至 reach v
CC
(最小值) 的 这 设备. 它
应当 是 指出 那 毫无 的 这 设备's
运作 是 有保证的 till v
CC
是 不
V
CC
(最小值).
数据 保护 和 协议
控制
once 所有 位 的 一个 页 程序, sector 擦掉,
大(量) 擦掉 或者 状态 寄存器 写 操作指南 是
received; 这 s
输入 必须 是 驱动 高
(deselect) 正确的 之后 这 恰当的 时钟 计数 在
顺序 至 execute 这 操作指南, 那 是 这 碎片
选择 s
必须 驱动 高 之后 一个 时钟 脉冲
计数 多样的 的 8 位.
attempting 至 进入 这 记忆 排列 在 一个
写, 程序 或者 擦掉 循环 是 ignored, 不管怎样
这 内部的 循环 持续.
电子的 signature
这 设备 特性 一个 8 位 电子的 signature
(10h) 这个 能 是 读 和 这 帮助 的 这 res
操作指南 (请 看 这 部分 entitled
“release 从 深的 电源 向下 模式 和 读
电子的 signature (res)” 在 页 12).
最初的 传送 状态
这 设备 是 delivered 和 这 记忆 排列
erased: 所有 位 是 设置 在 ’1’ (各自 字节 = ffh). 这
状态 寄存器 内容 是 00h (所有 状态 寄存器
位 是 ’0’).
表格 9. 最初的 状态 寄存器 format
b7 b0
0 0000000
表格 8. 电源-向上 定时 和 v
WI
门槛
(t
一个
= –40 至 85 °c)
便条: 1. 这些 参数 是 典型 仅有的.
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
VSL
1
V
CC
(最小值) 至 s
10
µs
I
PUW
1
时间 延迟 至 写 运作 15 ms
V
WI
1
写 inhibit 电压 1.5 2.5 V
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