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资料编号:459389
 
资料名称:M25P10-VMN6T
 
文件大小: 162.29K
   
说明
 
介绍:
1 Mbit Low Voltage Paged Flash Memory With 20 MHz Serial SPI Bus Interface
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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M25P10
表格 13. 交流 特性
便条: 1. t
CH
+ t
CL
1 / f
C
.
2. 值 有保证的 用 描绘, 不 100% 测试 在 生产. 这些 参数 是 指定 和 一个 输出 加载
电容 的 30 pf.
标识 alt. 参数
M25P10
单位
V
CC
=2.7 至 3.6 V
T
一个
=–40 至 85°c
最小值 最大值
f
C
f
C
时钟 频率 d.c. 20 MHz
t
SLCH
t
CSS
S起作用的 建制 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
CHSL
S不 起作用的 支撑 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
CH
1
t
CLH
时钟 高 时间 22 ns
t
CL
1
t
CLL
时钟 低 时间 22 ns
t
DVCH
t
DSU
数据 在 建制 时间 5 ns
t
CHDX
t
DH
数据 在 支撑 时间 5 ns
t
CHSH
S起作用的 支撑 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
SHCH
S不 起作用的 建制 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
SHSL
t
CSH
Sdeselect 时间 50 ns
t
SHQZ
2
t
DIS
输出 使不能运转 时间 20 ns
t
CLQV
t
V
时钟 低 至 输出 有效的 20 ns
t
CLQX
t
HO
输出 支撑 时间 0 ns
t
HLCH
支撑建制 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
CHHH
支撑 支撑 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
HHCH
支撑 建制 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
CHHL
支撑 支撑 时间 (相关的 至 c) 10 ns
t
HHQX
2
t
LZ
支撑 至 输出 低-z 20 ns
t
HLQZ
2
t
HZ
支撑 至 输出 高-z 20 ns
t
DP
2
S高 至 深的 电源 向下 模式 1.6
µ
s
t
RES
2
S高 至 保卫-用 电源 模式 1.6
µ
s
t
W
写 状态 寄存器 循环 时间 5 ms
t
PP
页 程序 循环 时间 5 ms
t
SE
sector 擦掉 循环 时间 2 s
t
大(量) 擦掉 循环 时间 4 s
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