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m41st85y, m41st85w
图示 7. 硬件 hookup
便条: 1. 必需的 为 embedded 结晶 (mx) 包装 仅有的.
最大 比率
stressing 这 设备 在之上 这 比率 列表 在 这
“absolute 最大 ratings” 表格 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是
压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在
这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 indicat-
ed 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是
不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 rat-
ing 情况 为 扩展 时期 将 影响 de-
恶行 可靠性. 谈及 也 至 这
意法半导体 确信 程序 和 其它 rel-
evant 质量 documents.
表格 2. 绝对 最大 比率
便条: 1. 软熔焊接 在 顶峰 温度 的 215°c 至 225°c 为 < 60 秒 (总的 热的 budget 不 至 超过 180°c 为 在 90 to 120
秒).
提醒:
负的 undershoots 在下 –0.3v 是 不 允许 在 任何 管脚 当 在 这 电池 后面的-向上 模式.
提醒:
做 不 波 焊盘 soic 至 避免 损害的 snaphat 插座.
AI03660
V
CC
PFO
EX
SCL
m41st85y/w
WDI
RSTIN1
RSTIN2
PFI
V
SS
V
BAT
(1)
irq/ft/输出
SQW
RST
V
输出
E
CON
SDA
无秩序的
电压
调整器
V
CC
V
在
Pushbutton
重置
从 mcu
m68z128y/w
或者
m68z512y/w
V
CC
E
至 rst
至 led 显示
至 nmi
至 int
R1
R2
标识 参数 值 单位
T
STG
存储 温度 (v
CC
止, 振荡器 止)
SNAPHAT
®
–40 至 85 °C
SOIC –55 至 125 °C
T
SLD
(1)
含铅的 焊盘 温度 为 10 秒 260 °C
V
IO
输入 或者 输出 电压
–0.3 至 v
CC
+0.3
V
V
CC
供应 电压
M41ST85Y –0.3 至 7 V
M41ST85W –0.3 至 4.6 V
I
O
输出 电流 20 毫安
P
D
电源 消耗 1 W