8月.1999
V
I
= 3.2v
V
i(stb)
= 2.4v
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54534p/fp
6-单位 320ma 晶体管 排列 和 clamp 二极管 和 strobe
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
300
150
V
V
V
CC
V
O
V
IL
V
ih(stb)
V
il(stb)
—
—
—
—
—
—
3
0
3.2
0
2.4
0
8
20
I
C
0
0
—
—
毫安
参数
限制
最小值 典型值 最大值
标识 单位
供应 电压
输出 电压
集电级 电流
每 频道
“h” 输入 电压
“l” 输入 电压
“h” 输入 电压 (strobe 输入)
“l” 输入 电压
(strobe 输入)
V
CC
= 6.5v, 职责 循环
p : 非 更多 比 25%
fp : 非 更多 比 15%
V
CC
= 6.5v, 职责 循环
p : 非 更多 比 65%
fp : 非 更多 比 35%
V
IH
18
0.7
18
0.2
V
V
V
V
函数的 表格
在
L
H
L
H
STB
L
L
H
H
输出
H
H
H
L
—
0.3
0.15
0.5
—
–7.9
—
1.4
—
120
3000
—
0.85
0.5
1.4
–20
–20
20
2.4
100
200
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
集电级-发射级 损坏 电压
输入 反转 电流
strobe 输入 电流
strobe 输入 反转 电流
夹紧 二极管 向前 电压
夹紧 二极管 反转 电流
供应 电流
I
IR
I
i(stb)
I
r(stb)
V
F
I
R
I
CC
V
CC
= 8v, v
I
= 3.2v, v
i(stb)
= 2.4v
V
CC
= 8v, v
I
= –25v
V
CC
= 8v, v
I
= 3.2v (所有 输入), v
i(stb)
= 0.2v
V
CC
= 8v, v
I
= 0v, v
i(stb)
= 20v
I
F
= 320ma
V
R
= 20v
V
CC
= 8v, v
I
= 3.2v (所有 输入), v
i(stb)
= 2.4v
V
CE
= 4v, v
CC
= 6.5v, i
C
= 300ma, ta = 25
°
c,
V
i(stb)
= 2.4v
V
µ
一个
毫安
µ
一个
V
µ
一个
毫安
—
I
I
V
ce (sat)
V
+
: 这 典型 值 是 那些 量过的 下面 包围的 温度 (ta) 的 25
°
c. 那里 是 非 保证 那 这些 值 是 得到 下面 任何
情况.
V
CC
= 8v, v
I
= 3.2v, v
i(stb)
= 0.2v, i
CEO
= 100
µ
一个
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值
+
最大值
集电级-发射级 饱和 电压
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
V
(br) ceo
输入 电流
V
CC
= 6.5v, i
C
= 250ma
V
CC
= 3v, i
C
= 120ma
毫安
ns
ns
—
—
22
1200
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
转变-在 时间
转变-止 时间
C
L
= 15pf (便条 1)
t
在
t
止
h
FE
直流 放大器 因素
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