8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54519p/fp
7-单位 400ma darlington 晶体管 排列
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
V
(br) ceo
I
I
h
FE
V
V
参数
—
—
—
—
0
8
5
0
40
0.5
限制
最小值 典型值 最大值
标识 单位
0
0
—
—
400
200
30
毫安
V
V
毫安
—
40
—
—
0.3
1000
—
1.3
1.0
0.8
6000
—
2.4
1.6
1.8
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值
+
最大值
V
+
: 这 典型 值 是 那些 量过的 下面 包围的 温度 (ta) 的 25
°
c. 那里 是 非 保证 那 这些 值 是 得到 下面 任何
情况.
ns
ns
—
—
40
400
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
定时 图解
便条 1 测试 电路
PG
50
Ω
C
L
R
L
量过的 设备
V
O
输入
输出
(1) 脉冲波 发生器 (pg) 特性 : prr = 1khz,
tw = 10
µ
s, tr = 6ns, tf = 6ns, z
O
= 50
Ω
V
P
= 8v
p-p
(2) 输入-输出 情况 : r
L
= 25
Ω
, v
O
= 10v
(3) 静电的 capacity c
L
包含 floating 电容 在
连接 和 输入 电容 在 探查
V
O
V
IL
输出 电压
“h” 输入 电压
“l” 输入 电压
I
C
V
IH
职责 循环
p : 非 更多 比 8%
fp : 非 更多 比 6%
I
C
≤
400mA
I
C
≤
200mA
职责 循环
p : 非 更多 比 30%
fp : 非 更多 比 25%
集电级 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 7 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
集电级-发射级 损坏 电压
输入 电流
直流 放大器 因素
I
CEO
= 100
µ
一个
V
I
= 8v, i
C
= 400ma
V
I
= 5v, i
C
= 200ma
V
I
= 17v
V
CE
= 4v, i
C
= 400ma, ta = 25
°
C
V
ce (sat)
集电级-发射级 饱和 电压
转变-在 时间
转变-止 时间
t
在
t
止
C
L
= 15pf (便条 1)
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
ton
50% 50%
50% 50%
toff
输入
输出