sep. 2000
mitsubishi 半导体 <hvic>
M63991FP
高 电压 half 桥 驱动器
µ
一个
毫安
毫安
µ
一个
V
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
V
µ
s
V
V
µ
s
一个
一个
Ω
Ω
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
0.2
0.2
—
13.8
—
2.1
0.6
—
—
9.5
10.0
—
9.5
10.0
—
—
—
—
—
250
230
—
—
250
230
—
—
—
—
—
0.5
0.5
—
14.4
—
3.0
1.5
25
—
10.5
11.0
7.5
10.5
11.0
7.5
–0.5
0.5
40
20
300
280
80
60
300
280
80
60
—
—
1.0
1.0
1.0
100
—
0.1
4.0
1.9
75
1.0
11.5
12.0
—
11.5
12.0
—
—
—
—
—
350
330
—
—
350
330
—
—
30
30
floating 供应 泄漏 电流
vbs 备用物品 电流
vcc 备用物品 电流
vdd 备用物品 电流
高 水平的 输出 电压
低 水平的 输出 电压
高 水平的 输入 门槛 电压
低 水平的 输入 门槛 电压
高 水平的 输入 偏差 电流
低 水平的 输入 偏差 电流
vbs 供应 uv trip 电压
vbs 供应 uv 重置 电压
vbs 供应 uv 过滤 时间
vcc 供应 uv trip 电压
vcc 供应 uv 重置 电压
vcc 供应 uv 过滤 时间
输出 高 水平的 短的 电路 搏动 电流
输出 低 水平的 短的 电路 搏动 电流
输出 高 水平的 在 阻抗
输出 低 水平的 在 阻抗
高 一侧 转变-在 传播 延迟
高 一侧 转变-止 传播 延迟
高 一侧 转变-在 上升 时间
高 一侧 转变-止 下降 时间
低 一侧 转变-在 传播 延迟
低 一侧 转变-止 传播 延迟
低 一侧 转变-在 上升 时间
低 一侧 转变-止 下降 时间
延迟 相一致, 高 一侧 和 低 一侧 turn-在
延迟 相一致, 高 一侧 和 低 一侧 转变-止
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
VB=VS=600V
io=0a, lo, ho
io=0a, lo, ho
hin, lin
hin, lin
VIN=5V
VIN=0V
vo=0v, vin=5v, pw<10
µ
s
vo=15v, vin=0v, pw<10
µ
s
io=–200ma, roh=(voh-vo)/io
io=200ma, rol=vo/io
cl=1000pf 在 ho – vs
cl=1000pf 在 ho – vs
cl=1000pf 在 ho – vs
cl=1000pf 在 ho – vs
cl=1000pf 在 lo – 地
cl=1000pf 在 lo – 地
cl=1000pf 在 lo – 地
cl=1000pf 在 lo – 地
|tdlh(ho)-tdlh(lo)|
|tdhl(ho)-tdhl(lo)|
IFS
IBS
ICC
IDD
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
IIL
VBSUVT
VBSUVR
tVBSUV
VCCUVT
VCCUVR
tVCCUV
IOH
IOL
ROH
ROL
tdlh(ho)
tdhl(ho)
tr(ho)
tf(ho)
tdlh(lo)
tdhl(lo)
tr(lo)
tf(lo)
tdMon
tdMoff
电的 特性
(ta=25
°
c, vcc=vbs=15v, vdd=5v 除非 否则 指定)
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