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M64884FP
Transistor 为 vco,1st 如果 混合,2-多样的 电路 建造-在 500mhz/1ghz 双 pll synthesizer
MITsubishi  ics (cordlessTelephone)
ver 1.0
十一月 25,1998
MITSUBISHI
ELECTRIC
8
温度 ta (
o
c)
581
500
232
1000
0
0
25 50 75 85
100
125 150
总的 电源 消耗 delating curve
11.  绝对 最大 比率 (ta=-30
o
c 至 +85
o
c, unless 否则 指出)
-0.3 4.5
4.50
0 6.0
4.5-0.3
0 1.0
232
125
85-30
125-40
最大值最小值
包装 容许的 电源
o
C
o
C
o
C
mW
毫安
V
毫安
V
V
Ta=85
o
c,Tj=125
o
C
锁, 地=0v
si, cps, rst
TXE, rxe, txoUT
锁, miXOUT
GND=0V
存储 包围的 电压
运行 包围的 电压
接合面 温度
电源 消耗量
输入 电流
输入 电压
输出 电流
输出 电压
Supply电压
Tstg
Topr
Tj
Pd
Ii
Vi
Io
Vo
Vcc
比率
Remarks单位测试 情况参数Symbol

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M64884FP Transistor 为 vco,1st 如果混合,2-多样的电路建造-在 500mhz/1ghz 双 pll synthesizer MITsubishi ics (cordlessTelephone) ver 1.0 十一月 25,1998 MITSUBISHI ELECTRIC 8 温度 ta ( o c) 581 500 232 1000 0 0 25 50 75 85 100 125 150 总的电源消耗 delating curve 11. 绝对最大比率 (ta=-30 o c 至 +85 o c, unless 否则指出) -0.3 4.5 4.50 0 6.0 4.5-0.3 0 1.0 232 125 85-30 125-40 最大值最小值包装容许的电源 o C o C o C mW 毫安 V 毫安 V V Ta=85 o c,Tj=125 o C 锁, 地=0v si, cps, rst TXE, rxe, txoUT 锁, miXOUT GND=0V 存储包围的电压运行包围的电压接合面温度电源消耗量输入电流输入电压输出电流输出电压 Supply电压 Tstg Topr Tj Pd Ii Vi Io Vo Vcc 比率 Remarks单位测试情况参数Symbol

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