硅 mos 场效应晶体管 电源 放大器, 820-851mhz, 6w, fm 可携带的 无线电
M68701
mitsubishi rf 电源 单元
十一月 ´97
输出 电源, 总的 效率
vs. 输入 电源
输入 电源 p在(dbm)
1000
100
10
1
-20
100.0
10.0
1.0
0.1
-30 10-15 -10 -5 0 5-25
输出 电源, 总的 效率
vs. 输入 电源
输入 电源 p在(dbm)
1000
100
10
1
-20
100.0
10.0
1.0
0.1
-30 10-15 -10 -5 0 5-25
PO
典型 效能 数据
输出 电源, 输入 vswr,
总的 效率 vs. 频率
频率 f (mhz)
100
80
40
0
790 800 820 830 840 850 880
η
T
PO
ρ
在
60
20
10
8
6
4
2
0
860810 870
VDD=12.5v
VGG=5V
P在=1mW
ZG=ZL=50
Ω
70
30
50
10
90
7
5
3
1
9
输出 电源, 总的 效率
vs. 门 供应 电压
门 供应 电压 vGG(v)
100
70
30
0
3.0
3.2 3.6 4.0 4.4
5.0
50
10
10
7
5
3
1
0
η
T
PO
909
3.4 3.8 4.2
4.8
6
4
2
8
60
20
40
80
4.6
f=820MHz
VDD=12.5v
P在=1mW
ZG=ZL=50
Ω
输出 电源, 总的 效率
vs. 门 供应 电压
门 供应 电压 vGG(v)
100
70
30
0
3.0
3.2 3.6 4.0 4.4
5.0
50
10
10
7
5
3
1
0
η
T
PO
909
3.4 3.8 4.2
4.8
6
4
2
8
60
20
40
80
4.6
输出 电源, 总的 效率
vs. 流 供应 电压
流 供应 电压 vDD(v)
90
70
30
0
4 6 18
50
10
18
12
8
4
0
η
T
PO
16
8 10 12 16
10
6
2
14
60
20
40
80
14
f=851MHz
VDD=12.5v
P在=1mW
ZG=ZL=50
Ω
f=820MHz
VGG=5V
P在=1mW
ZG=ZL=50
Ω
f=820MHz
VDD=12.5v
VGG=5V
ZG=ZL=50
Ω
η
T
f=851MHz
VDD=12.5v
VGG=5V
PO
η
T
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