sm6t 序列
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
文档 号码 88385 www.vishay.com
03-将-02 3
比率 和
典型的 曲线
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
0
25
50
75
100
0
7525 50
100 125
150 175 200
顶峰 脉冲波 电源 (p
PP
) 或者 电流 (i
PP
)
减额 在 percentage, %
T
一个
—
包围的 温度 (
°
c)
图. 2
–
脉冲波 减额 曲线
P
PPM
—
顶峰 脉冲波 电源 (kw)
图. 1
–
顶峰 脉冲波 电源 比率 曲线
0.1
1
10
100
0.1
µ
s 1.0
µ
s10
µ
s
t
d
—
脉冲波 宽度 (秒.)
100
µ
s 1.0ms 10ms
0.2 x 0.2" (0.5 x 0.5mm)
铜 垫子 areas
图. 6
–
最大 非-repetitive 顶峰
向前 surge 电流
号码 的 循环 在 60h
Z
10
200
100
110
100
8.3ms 单独的 half sine-波
(电子元件工业联合会 方法)
unidirectional 仅有的
I
FSM
—
顶峰 向前 surge 电流 (一个)
t
p
—
脉冲波 持续时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗 (
°
c/w)
图. 5
–
典型 瞬时 热的
阻抗
0.1
1.0
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
0
50
100
150
I
PPM
—
顶峰 脉冲波 电流, % i
RSM
图. 3
–
脉冲波 波形
T
J
= 25
°
C
脉冲波 宽度 (td)
是 定义 作 这 要点
在哪里 这 顶峰 电流
decays 至 50% 的 i
PPM
tr = 10
µ
秒.
顶峰 值
I
PPM
half 值
—
IPP
I
PPM
2
td
10/1000
µ
秒. 波形
作 定义 用 r.e.一个.
0
1.0
2.0
3.0 4.0
t
—
时间 (ms)
C
J
—
接合面 电容 (pf)
图. 4
–
典型 接合面 电容
10
100
1,000
6,000
101 100 200
V
WM
—
反转 保卫-止 电压 (v)
T
J
= 25
°
C
f = 1.0mhz
vsig = 50mvp-p
V
R
,
量过的 在
保卫-止
电压, v
WM
量过的 在
零 偏差
uni-directional
bi-directional
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