三月. 2002
初步的
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otice: 这个 是 不 一个 最终 规格.
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它的 是 主题 至 改变.
mitsubishi 半导体 <hvic>
M81702FP
高 电压 half 桥 驱动器
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13.8
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6.0
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1.4
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6.0
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1.4
—
—
7.5
0.1
—
7.5
0.1
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—
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—
—
—
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—
—
—
0.4
0.75
—
14.4
—
8.4
6.8
3.1
2.4
8.4
6.8
3.1
2.4
75
—
8.6
0.4
10
8.6
0.4
10
–
2.5
2.5
10
2.5
—
—
—
—
—
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—
—
—
—
—
1
0.7
1.5
10
—
0.1
9.5
—
4.1
—
9.5
—
4.1
—
150
1.0
9.7
0.7
—
9.7
0.7
—
—
—
13
3
350
330
60
30
350
330
60
30
30
30
350
floating 供应 泄漏 电流
vbs 备用物品 电流
vcc 备用物品 电流
vdd 备用物品 电流
高 水平的 输出 电压
低 水平的 输出 电压
高 水平的 输入 门槛 电压
低 水平的 输入 门槛 电压
高 水平的 输入 门槛 电压
低 水平的 输入 门槛 电压
关闭 高 水平的 输入 门槛 电压
关闭 低 水平的 输入 门槛 电压
关闭 高 水平的 输入 门槛 电压
关闭 低 水平的 输入 门槛 电压
高 水平的 输入 偏差 电流
低 水平的 输入 偏差 电流
vbs 供应 uv 重置 电压
vbs 供应 uv hysteresis 电压
vbs 供应 uv 过滤 时间
vcc 供应 uv 重置 电压
vcc 供应 uv hysteresis 电压
vcc 供应 uv 过滤 时间
输出 高 水平的 短的 电路 搏动 电流
输出 低 水平的 短的 电路 搏动 电流
输出 高 水平的 在 阻抗
输出 低 水平的 在 阻抗
高 一侧 转变-在 传播 延迟
高 一侧 转变-止 传播 延迟
高 一侧 转变-在 上升 时间
高 一侧 转变-止 下降 时间
低 一侧 转变-在 传播 延迟
低 一侧 转变-止 传播 延迟
低 一侧 转变-在 上升 时间
低 一侧 转变-止 下降 时间
延迟 相一致, 高 一侧 和 低 一侧 转变-在
延迟 相一致, 高 一侧 和 低 一侧 转变-止
关闭 传播 延迟
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
VB=VS=600V
io=0a, lo, ho
io=0a, lo, ho
hin, lin
hin, lin
hin, lin (vdd=5v)
hin, lin (vdd=5v)
SD
SD
sd (vdd=5v)
sd (vdd=5v)
VIN=15V
VIN=0V
vo=0v, vin=15v, pw<10
µ
s
vo=15v, vin=0v, pw<10
µ
s
IO=
–
200ma, roh=(voh-vo)/io
io=200ma, rol=vo/io
cl=1000pf 在 ho
–
VS
cl=1000pf 在 ho
–
VS
cl=1000pf 在 ho
–
VS
cl=1000pf 在 ho
–
VS
cl=1000pf 在 lo
–
地
cl=1000pf 在 lo
–
地
cl=1000pf 在 lo
–
地
cl=1000pf 在 lo
–
地
|tdlh(ho)-tdlh(lo)|
|tdhl(ho)-tdhl(lo)|
cl=1000pf 在 ho
–
VS
cl=1000pf 在 lo
–
地
IFS
IBS
ICC
IDD
VOH
VOL
VIH15
VIL15
VIH5
VIL5
VISDH15
VISDL15
VISDH5
VISDL5
IIH
IIL
VBSuvr
VBSuvh
tVBSuv
VCCuvr
VCCuvh
tVCCuv
IOH
IOL
ROH
ROL
tdlh(ho)
tdhl(ho)
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tdlh(lo)
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∆
tdLH
∆
tdHL
tSD
电的 特性
(ta=25
°
c, vcc=vbs (=vb–vs)=vdd=15v, lgnd=0v 除非 否则 specified)