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三月. 2002
初步的
N
otice: 这个 是 不 一个 最终 规格.
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它的 是 主题 至 改变.
V
V
V
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W
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C
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C
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V
V
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VS+10
0
10
10
5
0
–5
—
—
—
—
—
—
—
VS+20
500
20
20
20
VDD
5
绝对 最大 比率
高 一侧 floating 供应 绝对 电压
高 一侧 floating 供应 补偿 电压
高 一侧 floating 供应 电压
低 一侧 fixed 供应 电压
逻辑 供应 电压
逻辑 输入 电压
低 一侧 返回 补偿 电压
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
vbs = vb-vs
hin, lin
VB
VS
VBS
VCC
VDD
VIN
LGND
–0.5 ~ 624
–0.5 ~ 600
–0.5 ~ 24
–5
vs–0.5 ~ vb+0.5
–0.5 ~ 24
–0.5 ~ vcc+0.5
–0.5 ~ 24
–0.5 ~ vdd+0.5
–5 ~ vcc+0.5
±
50
0.88
–8.8
50
–20 ~ 125
–20 ~ 75
–40 ~ 125
vbs = vb-vs
pw < 1
µ
s
hin, lin
vcc-lgnd < 24v
ta = 25
°
c, 在 板
ta > 25
°
c, 在 板
高 一侧 floating 供应 绝对 电压
高 一侧 floating 供应 补偿 电压
高 一侧 floating 供应 电压
容许的 补偿 供应 电压 minus serge
高 一侧 输出 电压
低 一侧 fixed 供应 电压
低 一侧 输出 电压
逻辑 供应 电压
逻辑 输入 电压
低 一侧 返回 补偿 电压
容许的 补偿 供应 电压 瞬时
包装 电源 消耗
直线的 减额 因素
接合面-情况 热的 阻抗
接合面 温度
运作 温度
存储 温度
VB
VS
VBS
–VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VIN
LGND
dvs/dt
Pd
K
q
rth(j-c)
Tj
Topr
Tstg
标识 参数 情况 比率 单位
推荐 运行 情况
mitsubishi 半导体 <hvic>
M81703FP
高 电压 half 桥 驱动器
效能 曲线
热的 减额 因素 特性
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1251007550250
温度 [ ]

标　题:
内　容:
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三月. 2002 初步的 N otice: 这个是不一个最终规格. S om e param etric lim 它的是主题至改变. V V V V V V V V V V v/ns W mw/ ° C ° c/w ° C ° C ° C V V V V V V V VS+10 0 10 10 5 0 –5 — — — — — — — VS+20 500 20 20 20 VDD 5 绝对最大比率高一侧 floating 供应绝对电压高一侧 floating 供应补偿电压高一侧 floating 供应电压低一侧 fixed 供应电压逻辑供应电压逻辑输入电压低一侧返回补偿电压标识单位参数测试情况限制最小值典型值最大值 vbs = vb-vs hin, lin VB VS VBS VCC VDD VIN LGND –0.5 ~ 624 –0.5 ~ 600 –0.5 ~ 24 –5 vs–0.5 ~ vb+0.5 –0.5 ~ 24 –0.5 ~ vcc+0.5 –0.5 ~ 24 –0.5 ~ vdd+0.5 –5 ~ vcc+0.5 ± 50 0.88 –8.8 50 –20 ~ 125 –20 ~ 75 –40 ~ 125 vbs = vb-vs pw < 1 µ s hin, lin vcc-lgnd < 24v ta = 25 ° c, 在板 ta > 25 ° c, 在板高一侧 floating 供应绝对电压高一侧 floating 供应补偿电压高一侧 floating 供应电压容许的补偿供应电压 minus serge 高一侧输出电压低一侧 fixed 供应电压低一侧输出电压逻辑供应电压逻辑输入电压低一侧返回补偿电压容许的补偿供应电压瞬时包装电源消耗直线的减额因素接合面-情况热的阻抗接合面温度运作温度存储温度 VB VS VBS –VS VHO VCC VLO VDD VIN LGND dvs/dt Pd K q rth(j-c) Tj Topr Tstg 标识参数情况比率单位推荐运行情况 mitsubishi 半导体 <hvic> M81703FP 高电压 half 桥驱动器效能曲线热的减额因素特性 2.0 1.5 1.0 0.5 0 1251007550250 温度 [ ]

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