MAS110S
2/9
thyristor surge 比率
情况
10ms half sine; t
情况
= 125
o
C
V
R
= 0% v
DRM
最大值 UnitsSymbol 参数
I
TSM
surge (非-repetitive) 在-状态 电流
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing 20.0 x 10
3
一个
2
s
2.0 kA
thyristor 动态 特性
V
TM
ParameterSymbol 情况
最大 在-状态 电压 在 600a 顶峰, t
情况
= 25
o
C
I
DRM
顶峰 止-状态 电流 在 v
DRM
, t
情况
= 125
o
C
dv/dt 最大 直线的 比率 的 上升 的 止-状态 电压 至 60% v
DRM
T
j
= 125
o
c, 门 打开 电路
最小值 最大值 单位
- 2.9 V
-70ma
- 1000 v/
µ
s
repetitive 50hz
- 500 一个/
µ
s
比率 的 上升 的 在-状态 currentdi/dt
从 67% v
DRM
至 600a,
门 源 20v, 20
Ω
t
r
= < 0.5
µ
s, t
j
= 125˚c
V
t(至)
门槛 电压 在 t
vj
= 125
o
C
r
T
在-状态 斜度 阻抗 在 t
vj
= 125
o
C
1.6-v
- 1.4 m
Ω
转变-止 timet
q
µ
s10-
µ
s12-
µ
s15-
I
T
= 100a, t
j
= 125˚c,
dI
R
/dt = 30a/
µ
s, v
GK
= 0v
dv/dt = 20v/
µ
s 至 60%
V
DRM
, v
R
= 1v.
t
q
代号: w
t
q
代号: s
t
q
代号: x
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