首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:470696
 
资料名称:MAT01
 
文件大小: 119.82K
   
说明
 
介绍:
Matched Monolithic Dual Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号MAT01的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 一个
–2–
MAT01–SPECIFICATIONS
电的 特性
(@ v
CB
= 15 v, i
C
= 10
一个, t
一个
= 25
c, 除非 否则 指出.)
MAT01AH MAT01GH
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 单位
损坏 电压 BV
CEO
I
C
= 100
µ
A45 45 V
补偿 电压 V
OS
0.04 0.1 0.10 0.5 mV
补偿 电压 稳固
第一 month V
OS
/时间 (便条 1) 2.0 2.0
µ
v/mo
长 期 (便条 2) 0.2 0.2
µ
v/mo
补偿 电流 I
OS
0.1 0.6 0.2 3.2 nA
偏差 电流 I
B
13 20 18 40 nA
电流 增益 h
FE
I
C
= 10 na 590 430
I
C
= 10
µ
一个 500 770 250 560
I
C
= 10 毫安 840 610
电流 增益 相一致
h
FE
I
C
= 10
µ
一个 0.7 3.0 1.0 8.0 %
100 na
I
C
10 毫安 0.8 1.2 %
低 频率 噪音
电压 e
n
p-p 0.1 hz 至 10 hz
3
0.23 0.4 0.23 0.4
µ
v p-p
broadband 噪音
电压 e
n
rms 1 hz 至 10 khz 0.60 0.60
µ
v rms
噪音 电压
密度 e
n
f
O
= 10 hz
3
7.0 9.0 7.0 9.0 nv/
Hz
f
O
= 100 hz
3
6.1 7.6 6.1 7.6 nv/
Hz
f
O
= 1000 hz
3
6.0 7.5 6.0 7.5 nv/
Hz
补偿 电压 改变
V
os/
V
CB
0
V
CB
30 v 0.5 3.0 0.8 8.0
µ
v/v
补偿 电流 改变
I
os/
V
CB
0
V
CB
30 v 2 15 3 70 pa/v
集电级-根基
泄漏 电流 I
CBO
V
CB
= 30 v, i
E
= 0
4
15 50 25 200 pA
集电级-发射级
泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 30 v, v
= 0
4, 5
50 200 90 400 pA
集电级-集电级
泄漏 电流 I
CC
V
CC
= 30 v
5
20 200 30 400 pA
集电级 饱和 V
ce(sat)
I
B
= 0.1 毫安, i
C
= 1 毫安 0.12 0.20 0.12 0.25 V
电压 I
B
= 1 毫安, i
C
= 10 毫安 0.8 0.8 V
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安 450 450 MHz
输出 电容 C
OB
V
CB
= 15 v, i
E
= 0 2.8 2.8 pF
集电级-集电级
电容 C
CC
V
CC
= 0 8.5 8.5 pF
电的 特性
MAT01AH MAT01GH
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 单位
补偿 电压 V
OS
0.06 0.15 0.14 0.70 mV
平均 补偿
电压 逐渐变化 TCV
OS
(便条 6) 0.15 0.50 0.35 1.8
µ
v/
°
C
补偿 电流 I
OS
0.9 8.0 1.5 15.0 nA
平均 补偿
电流 逐渐变化 TCI
OS
(便条 7) 10 90 15 150 pa/
°
C
偏差 电流
Ι
Β
28 60 36 130 nA
电流 增益 h
FE
167 400 77 300
集电级-根基 I
CBO
T
一个
= 125
°
c, v
CB
= 30 v,
泄漏 电流 I
E
= 0
4
15 80 25 200 nA
集电级-发射级 I
CES
T
一个
= 125
°
c, v
CE
= 30 v,
泄漏 电流 V
= 0
4, 6
50 300 90 400 nA
集电级-集电级 I
CC
T
一个
= 125
°
c, v
CC
= 30 v,
泄漏 电流 (便条 6) 30 200 50 400 nA
(@ v
CB
= 15 v, i
C
= 10
一个, –55
C
T
一个
+125
c, 除非 否则 指出.)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com