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资料编号:470696
 
资料名称:MAT01
 
文件大小: 119.82K
   
说明
 
介绍:
Matched Monolithic Dual Transistor
 
 


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MAT01
–7–
rev. 一个
应用 注释
应用 的 反转 偏差 电压 至 这 发射级-根基 汇合处
在 excess 的 比率 (5 v) 将 结果 在 降级 的 h
FE
h
FE
相一致 特性. 电路 设计 应当 是 审查
至 确保 那 反转 偏差 电压 在之上 5 v 不能 是 应用
在 此类 瞬时 情况 作 在 电路 转变-在 和
转变-止.
偏离 thermoelectric 电压 发生 用 dissimilar metals 在
这 联系 至 这 输入 terminals 能 阻止 realization 的 这
predicted 逐渐变化 效能. 两个都 输入 terminals 应当 是
maintained 在 这 一样 温度, preferably 关闭 至 这 tem-
perature 的 这 设备的 包装.
典型 产品
图示 12. 精确 涉及
图示 13. 基本 数字的 温度计 读出 在
degrees kelvin (
°
k)
图示 14. 精确 运算的 放大器
图示 15. 数字的 温度计 和 读出 在
°
C
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