7
MB3789
■
绝对 最大 比率
(ta = +25
°
c)
* : 当 挂载 在 一个 10 cm-正方形的 翻倍-一侧 环氧的 板.
警告: 半导体 设备 能 是 permanently 损坏 用 应用 的 压力 (电压, 电流,
温度, 等.) 在 excess 的 绝对 最大 比率. 做 不 超过 这些 比率.
■
推荐 运行 情况
(ta = +25
°
c)
警告: 这 推荐 运行 情况 是 必需的 在 顺序 至 确保 这 正常的 运作 的 这
半导体 设备. 所有 的 这 设备的 电的 特性 是 warranted 当 这 设备 是
运作 在里面 这些 范围.
总是 使用 半导体 设备 在里面 它们的 推荐 运行 情况 范围. 运作
外部 这些 范围 将 反而 影响 可靠性 和 可以 结果 在 设备 失败.
非 保用单 是 制造 和 遵守 至 使用, 运行 情况, 或者 结合体 不 represented 在
这 数据 薄板. 用户 considering 应用 外部 这 列表 情况 是 advised 至 联系 它们的
fujitsu representatives beforehand.
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 最大值
电源 供应 电压 V
CC
——20V
电源 消耗 P
D
Ta
+25
°
C
—440*mW
运行 温度 顶 — –30 +85
°
C
存储 温度 Tstg — –55 +125
°
C
参数 标识 情况
值
单位
最小值 典型值 最大值
电源 供应 电压
V
CC
1 — 3.0 5.0 18 V
V
CC
2—6.018v
涉及 电压 输出
电流
I
或者
— –50 –30 —
µ
一个
错误 放大. 输入 电压 V
I
— –0.2 — V
CC
– 1.8 V
输出 电流
I
O+
cb = 4700 pf, t 2
µ
s
–70 –40 — 毫安
I
O–
cb = 4700 pf, t 2
µ
s
—4070mA
定时 阻抗 R
T
— 10 39 200 k
Ω
定时 电容 C
T
— 470 1000 6800 pF
振动 频率 f
OSC
— 1 20 200 kHz
运行 温度 T
运算
—–30+25+85
°
C