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资料编号:473684
 
资料名称:MBN400GS12AW
 
文件大小: 119.81K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-channel IGBT
 
 


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1.5
1.0
0.5
0
0 100 200 300 400 500
典型
典型
典型
切换 时间, t (
m
s)
集电级 电流, i
C
(一个)
切换 时间 vs. 集电级 电流
tr
tf
ton
toff
Vcc
=
600V
V
GE
15V
R
G
=
2.7
W
T
C
=
25
°
C
resistive 加载
40
60
80
20
0
0 100 300200 400 500
切换 丧失, et
,et
, e
rr
(mj/脉冲波)
集电级 电流, i
C
(一个)
切换 丧失 vs. 集电级 电流
10
1
0.1
1
10 100
切换 时间, t (
m
s)
门 阻抗, r
G
(
W
)
切换 时间 vs. 门 阻抗
tr
tf
ton
toff
V
CC
=
600V
V
GE
15V
I
C
=
400A
T
C
=
25
°
C
resistive 加载
典型
100
10
1
1
10 100
切换 丧失, et
, et
(mj/脉冲波)
门 阻抗, r
G
(
W
)
切换 丧失 vs. 门 阻抗
Err
Err
Eton
Etoff
Vcc
=
600V
V
GE
15V
R
G
=
2.7
W
T
C
=
125
°
C
inductive 加载
1000
100
10
1
0.1
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
集电级 电流, ic (一个)
集电级 至 发射级 电压, v
CE
(v)
反转 片面的 safe 运行 范围
Etoff
Eton
1
0.1
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1 10
瞬时 热的 阻抗, r
th(j-c)
(
°
c/w)
时间, t (s)
瞬时 热的 阻抗
二极管
IGBT
V
GE
15V
R
G
=
2.7
W
T
C
£
125
°
C
pde-n400gs12aw-0
V
CC
=
600V
V
GE
15V
I
C
=
400A
T
C
=
125
°
C
inductive 加载
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