mbr20h100ct, mbrf20h100ct &放大; mbrb20h100ct 序列
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
www.vishay.com 文档 号码 88673
2 03-sep-04
最大 比率
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识
MBR20H90CT MBR20H100CT
单位
最大 repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
90 100 V
working 顶峰 反转 电压 V
RWM
90 100 V
最大 直流 blocking 电压 V
直流
90 100 V
最大 平均 向前 调整的 电流
总的 设备
20
每 leg
I
f(av)
10
一个
顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed I
FSM
250 一个
在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法) 每 leg
顶峰 repetitive 反转 电流 每 leg 在 t
p
= 2
µ
s, 1kh
Z
I
RRM
1.0 一个
电压 比率 的 改变 (评估 v
R
) dv/dt 10,000 v/
µ
s
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
–65 至 +175 °C
rms 分开 电压 (mbrf 类型 仅有的) 从 terminals
4500
(1)
至 散热器 和 t = 1 第二, rh
≤
30%
V
ISOL
3500
(2)
V
1500
(3)
电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识
值
单位
最大 instantaneous I
F
= 10a, T
C
= 25°c 0.77
向前 电压 每 leg 在
(4)
:i
F
= 10a, T
C
= 125°c 0.64
I
F
= 20a, T
C
= 25°c
V
F
0.88
V
I
F
= 20a, T
C
= 125°c 0.73
最大 反转 电流 每 leg T
J
= 25°c 4.5
µ
一个
在 working 顶峰 反转 电压 T
J
= 125°c
I
R
6.0 毫安
热的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识 MBR MBRF MBRB 单位
典型 热的 阻抗 每 leg R
Θ
JC
2.0 5.8 2.0 °c/w
注释:
(1) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 含铅的 做 不 overlap 散热器 和 0.110” 补偿
(2) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 leads 做 overlap 散热器
(3) screw 挂载 和 4-40 screw, 在哪里 washer 直径 是
≤
4.9 mm (0.19”)
(4) 脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波 宽度, 1% 职责 循环
订货 信息
产品 情况 包装 代号 包装 选项
MBR20H90CT - mbr20h100ct 至-220ab 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 2k/carton
MBRF20H90CT - mbrf20h100ct ito-220ab 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 2k/carton
31 13” 卷轴, 800/卷轴, 4.8k/carton
MBRB20H90CT - mbrb20h100ct 至-263ab 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 2k/carton
81 反对-静态的 13” 卷轴, 800/卷轴, 4.8k/carton
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