mbr15hxxct, mbrf15hxxct &放大; mbrb15hxxct 序列
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
文档 号码 88782 www.vishay.com
14-三月-03 3
比率 和
典型的 曲线
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
1 10 100
25
50
75
100
125
150
175
图. 3 – 典型 instantaneous
向前 特性 每 leg
图. 5 – 典型 接合面
电容 每 leg
图. 6 – 典型 瞬时
热的 阻抗 每 leg
号码 的 循环 在 60 h
Z
反转 电压 (v)
顶峰 向前 surge 电流 (一个)
0
5
10
15
20
025
50
75 100 125 150 175
图. 1 – 向前 电流
减额 曲线
平均 向前 电流 (一个)
情况 温度 (
°
c)
图. 2 – 最大 非-repetitive
顶峰 向前 surge 电流 每 leg
0.01
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
1
10
100
instantaneous 向前 电压 (v)
instantaneous 向前 电流 (一个)
020 6040 10080
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
图. 4 – 典型 反转
特性 每 leg
instantaneous 反转 泄漏 电流
(毫安)
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
t, 脉冲波 持续时间 (秒.)
transeint 热的 阻抗 (
°
c/w)
pf - 接合面 电容
0.01 0.1
0.1
1
1.0
10
10
10.1 10 100
100
1000
10
1
mbr15h35ct -- mbr15h45ct
mbr15h50ct -- mbr15h60ct
mbr15h35ct -- mbr15h45ct
mbr15h50ct -- mbr15h60ct
mbr15h35ct -- mbr15h45ct
mbr15h50ct -- mbr15h60ct
T
J
= 150
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= t
J
最大值
8.3ms 单独的 half sine-波
(电子元件工业联合会 方法)
T
J
= 25
°
C
f = 1.0 mh
Z
vsig = 50mvp-p
MBRF
mbr, mbrb
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