MCR25D_集成电路资料查询网

mcr25d, mcr25m, mcr25n
http://onsemi.com
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200 300 400 500 600 700 800
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1200
图示 9. 典型 exponential 静态的 dv/dt
相比 顶峰 电压.
gate–cathode 打开,
(dv/dt 做 不 取决于 在 rgk)
V
PK
, 顶峰 电压  (伏特)
静态的 dv/dt (v/美国)
110
°
C
100
°
C
85
°
C
T
J
= 125
°
C
80 85 90 95 100 105 110 115 120 125
0
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1000
1500
2000
2500
图示 10. 典型 exponential 静态的 dv/dt
相比 接合面 温度.
T
J
, 接合面 温度 (
°
c )
静态的 dv/dt (v/美国)
门 cathode 打开,
(dv/dt 做 不 取决于 在 rgk  )
V
PK
= 800
V
PK
= 600
V
PK
= 400
V
PK
= 275
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
160
180
200
220
240
260
280
300
图示 11. 最大 non–repetitive
surge 电流
号码 的 循环
I
TSM
, surge 电流 (放大器)
TJ=125
°
c   f=60 hz
1 循环

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mcr25d, mcr25m, mcr25n http://onsemi.com 5 200 300 400 500 600 700 800 0 200 400 600 800 1000 1200 图示 9. 典型 exponential 静态的 dv/dt 相比顶峰电压. gate–cathode 打开, (dv/dt 做不取决于在 rgk) V PK , 顶峰电压 (伏特) 静态的 dv/dt (v/美国) 110 ° C 100 ° C 85 ° C T J = 125 ° C 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 0 500 1000 1500 2000 2500 图示 10. 典型 exponential 静态的 dv/dt 相比接合面温度. T J , 接合面温度 ( ° c ) 静态的 dv/dt (v/美国) 门 cathode 打开, (dv/dt 做不取决于在 rgk ) V PK = 800 V PK = 600 V PK = 400 V PK = 275 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 160 180 200 220 240 260 280 300 图示 11. 最大 non–repetitive surge 电流号码的循环 I TSM , surge 电流 (放大器) TJ=125 ° c f=60 hz 1 循环

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