半导体 组件 industries, llc, 1999
二月, 2000 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mcr225fp/d
mcr225-8fp, mcr225-10fp
preferred 设备
硅 控制 整流器
反转 blocking thyristors
设计 primarily 为 half-波 交流 控制 产品, 此类 作
发动机 控制, 加热 控制 和 电源 供应 crowbar 电路.
•
glass 钝化的 汇合处 和 中心 门 fire 为 更好 参数
统一 和 稳固
•
小, 坚毅的, thermowatt 构成 为 低 热的
阻抗, 高 热温 消耗 和 durability
•
blocking 电压 至 800 伏特
•
300 一个 surge 电流 能力
•
insulated 包装 使简化 挂载
•
indicates ul 注册 — 文件 #e69369
•
设备 标记: 标志, 设备 类型, e.g., mcr225–8fp, 日期 代号
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive off–state 电压
(1)
(t
J
= –40 至 +125
°
c, sine 波,
50 至 60 hz, 门 打开)
MCR225–8FP
MCR225–10FP
V
drm,
V
RRM
600
800
伏特
在-状态 rms 电流 (t
C
= +70
°
c)
(180
°
传导 angles)
I
t(rms)
25 放大器
顶峰 non–repetitive surge 电流
(1/2 循环, sine 波 60 hz,
T
C
= +70
°
c)
I
TSM
300 放大器
电路 fusing (t = 8.3 ms) I
2
t 375 一个
2
s
向前 顶峰 门 电源
(t
C
= +70
°
c, 脉冲波 宽度
v
1.0
µ
s)
P
GM
20 Watts
向前 平均 门 电源
(t
C
= +70
°
c, t = 8.3 ms)
P
g(av)
0.5 Watt
向前 顶峰 门 电流
(t
C
= +70
°
c, 脉冲波 宽度
v
1.0
µ
s)
I
GM
2.0 放大器
rms 分开 电压 (t
一个
= 25
°
c,
相关的 湿度
p
20%)
()
V
(iso)
1500 伏特
运行 接合面 温度 范围 T
J
–40 至
+125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–40 至
+150
°
C
(1) V
DRM
和 v
RRM
为 所有 类型 能 是 应用 在 一个 持续的 基准. 比率
应用 为 零 或者 负的 门 电压; 不管怎样, 积极的 门 电压 将要
不 是 应用 concurrent 和 负的 潜在的 在 这 anode. blocking
电压 将要 不 是 测试 和 一个 常量 电流 源 此类 那 这
电压 比率 的 这 设备 是 超过.
分开的 scrs
25 amperes rms
600 thru 800 伏特
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 包装 Shipping
订货 信息
MCR225–8FP 分开的 to220fp 500/盒
http://onsemi.com
MCR225–10FP 分开的 to220fp 500/盒
分开的 to–220 全部 包装
情况 221c
样式 2
1
2
3
管脚 分派
1
2
3
Anode
门
Cathode
K
G
一个
()
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