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mdd 312
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I
2
t
I
FAVM
I
dAVM
一个
P
tot
W
T
一个
T
C
s
t
ms
t
一个
2
s
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I
FSM
一个
一个
I
FAVM
W
P
tot
一个
T
一个
180° sin
120°
60°
30°
直流
R
L
80 % v
RRM
T
VJ
= 45°c
T
VJ
= 150°c
50 hz
T
VJ
= 150°c
V
R
= 0 v
T
VJ
= 45°c
180° sin
120°
60°
30°
直流
0.6
0.8
0.1
0.2
0.3
0.4
R
thKA
k/w
0.06
2 x mdd312
电路
B2U
0.12
0.06
0.04
R
thKA
k/w
0.5
0.08
0.2
0.3
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50 1500 100 200
0
5
10
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20
25
T
VJ
= 125°c
V
R
= 600 v
T
VJ
= 125°c
V
R
= 600 v
I
F
= 400 一个
I
F
= 400 一个
I
RM
di
F
/dt
一个/µs
一个
t
rr
di
F
/dt
一个/µs
µs
图. 1 surge 超载 电流
I
FSM
: crest 值, t: 持续时间
图. 2 I
2
t 相比 时间 (1-10 ms) 图. 3 最大 向前 电流
在 情况 温度
图. 4 电源 消耗 vs. 向前 电流 和 包围的 温度 (每 二极管)
图. 6 单独的 阶段 整流器 桥: 电源 消耗 vs. 直接 输出 电流
和 包围的 温度 r = resistive 加载, l = inductive 加载
图. 5 典型值 顶峰 反转 电流
I
RM
相比 -di
F
/dt
图. 7 典型值 恢复 时间 t
rr
相比 -di
F
/dt