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资料编号:478571
 
资料名称:MDD312-22N1
 
文件大小: 81.04K
   
说明
 
介绍:
High Power Diode Modules
 
 


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3 - 3
mdd 312
423
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
t
Z
thJK
s
t
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
k/w
Z
thJC
I
dAVM
P
tot
0 25 50 75 100 125 1500 200 400 600 800
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
一个
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
T
一个
W
k/w
s
3 x mdd312
电路
B6U
0.3
0.2
0.15
0.1
0.06
0.03
0.4
R
thKA
k/w
直流
180°
120°
60°
30°
直流
30°
60°
120°
180°
图. 8 三 阶段 整流器 桥: 电源 消耗 相比 直接 输出 电流 和 包围的 温度
图. 9 瞬时 热的 阻抗 接合面 至 情况 (每 二极管)
图. 10瞬时 热的 阻抗 接合面 至
散热器
(每
二极管)
R
thJC
为 各种各样的 传导 angles d:
dR
thJC
(k/w)
直流 0.120
180
°
C 0.128
120
°
C 0.135
60
°
C 0.153
30
°
C 0.185
constants 为 z
thJC
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.0058 0.00054
2 0.031 0.098
3 0.072 0.54
4 0.0112 12
R
thJK
为 各种各样的 传导 angles d:
dR
thJK
(k/w)
直流 0.160
180
°
C 0.168
120
°
C 0.175
60
°
C 0.193
30
°
C 0.225
constants 为 z
thJK
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.0058 0.00054
2 0.031 0.098
3 0.072 0.54
4 0.0112 12
5 0.04 12
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