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资料编号:478581
 
资料名称:MDD172-12N1
 
文件大小: 129.24K
   
说明
 
介绍:
High Power Diode Modules
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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1 - 3
I
FRMS
= 2x 300 一个
I
FAVM
= 2x 190 一个
V
RRM
= 800-1800 v
维度 在 mm (1 mm = 0.0394")
标识 测试 情况 典型的 值
I
R
T
VJ
= t
VJM
; v
R
= v
RRM
20 毫安
V
F
I
F
= 300 一个; t
VJ
= 25
C 1.15 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 0.8 V
r
T
T
VJ
VJM
0.8 m
Q
S
T
VJ
= 125
c; i
F
= 300 一个, -di/dt = 50 一个/
s 550
C
I
RM
235 一个
R
thJC
每 二极管; 直流 电流 0.21 k/w
每 单元 其它 值 0.105 k/w
R
thJK
每 二极管; 直流 电流 看 图. 6/7 0.31 k/w
每 单元 0.155 k/w
d
S
creepage 距离 在 表面 12.7 mm
d
一个
strike 距离 通过 空气 9.6 mm
一个
最大 容许的 acceleration 50 m/s
2
V
RSM
V
RRM
类型
VV
900 800 mdd 172-08n1
1300 1200 mdd 172-12n1
1500 1400 mdd 172-14n1
1700 1600 mdd 172-16n1
1900 1800 mdd 172-18n1
标识 测试 情况 最大 比率
I
FRMS
T
VJ
VJM
300 一个
I
FAVM
T
C
= 100
c; 180
sine 190 一个
I
FSM
T
VJ
= 45
c; t = 10 ms (50 hz), sine 6600 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 7290 一个
T
VJ
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 5600 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 6200 一个
i
2
dt
T
VJ
= 45
C t = 10 ms (50 hz), sine 218 000 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 221 000 一个
2
s
T
VJ
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 157 000 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 160 000 一个
2
s
T
VJ
-40...+150
C
T
VJM
150
C
T
stg
-40...+125
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 3000 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3600 V~
M
d
挂载 torque (m6) 2.25-2.75/20-25 nm/lb.在.
终端 连接 torque (m6) 4.5-5.5/40-48 nm/lb.在.
重量
典型 包含 screws 120 g
特性
国际的 标准 包装
直接 铜 绑定 al
2
O
3
-陶瓷的
根基 加设护板
planar 钝化的 碎片
分开 电压 3600 v~
ul 注册, e 72873
产品
供应 为 直流 电源 设备
直流 供应 为 pwm 反相器
地方 供应 为 直流 发动机
电池 直流 电源 供应
有利因素
空间 和 重量 savings
简单的 挂载
改进 温度 和 电源
cycling
减少 保护 电路
mdd 172
高 电源
二极管 modules
312
3
1
2
数据 符合 至 iec 60747 和 谈及 至 一个 单独的 二极管 除非 否则 陈述.
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度
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