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资料编号:478586
 
资料名称:MDD220-08N1
 
文件大小: 110.2K
   
说明
 
介绍:
High Power Diode Modules
 
 


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1
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2
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© 2004 ixys 所有 权利 保留
1 - 3
mdd 220
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度
419
I
FRMS
= 2x450 一个
I
FAVM
= 2x270 一个
V
RRM
= 800-1800 v
标识 测试 情况 典型的 值
I
RRM
T
VJ
= t
VJM
; v
R
RRM
40 毫安
V
F
I
F
= 600 一个; t
VJ
= 25
°
C 1.4 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 0.75 V
r
T
T
VJ
= t
VJM
0.9 m
R
thJC
每 二极管; 直流 电流 0.129 k/w
每 单元 其它 值 0.065 k/w
R
thJK
每 二极管; 直流 电流 看 图. 6/7 0.169 k/w
每 单元 0.0845 k/w
Q
S
T
VJ
= 125
°
c, i
F
= 400 一个; -di/dt = 50 一个/
µ
s 760
µ
C
I
RM
275 一个
d
S
creepage 距离 在 表面 12.7 mm
d
一个
strike 距离 通过 空气 9.6 mm
一个
最大 容许的 acceleration 50 m/s
2
V
RSM
V
RRM
类型
VV
900 800 mdd 220-08n1
1300 1200 mdd 220-12n1
1500 1400 mdd 220-14n1
1700 1600 mdd 220-16n1
1900 1800 mdd 220-18n1
标识 情况 最大 比率
I
FRMS
T
VJ
= t
VJM
450 一个
I
FAVM
T
C
= 100
°
c; 180
°
sine 270 一个
I
FSM
T
VJ
= 45
°
c; t = 10 ms (50 hz), sine 8500 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 9000 一个
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 7500 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 8000 一个
∫∫
∫∫
i
2
dt
T
VJ
= 45
°
C t = 10 ms (50 hz), sine 360 000 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 340 000 一个
2
s
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 280 000 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 260 000 一个
2
s
T
VJ
-40...+150
°
C
T
VJM
150
°
C
T
stg
-40...+125
°
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 3000 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3600 V~
M
d
挂载 torque (m5) 2.5-5/22-44 nm/lb.在.
终端 连接 torque(m8) 12-15/106-132 nm/lb.在.
重量
典型 包含 screws 320 g
特性
直接 铜 绑定 al
2
O
3
-陶瓷的
根基 加设护板
planar 钝化的 碎片
分开 电压 3600 v~
ul 注册, e 72873
产品
供应 为 直流 电源 设备
直流 供应 为 pwm 反相器
地方 供应 为 直流 发动机
电池 直流 电源 供应
有利因素
空间 和 重量 savings
简单的 挂载
改进 温度 和 电源 cycling
减少 保护 电路
threaded spacer 为 高等级的 anode/cathode
构建: 类型
zy 250
, 材料 黄铜
14
高 电源
二极管 modules
312
1
3
2
维度 在 mm (1 mm = 0.0394")
20 12
数据 符合 至 iec 60747 和 谈及 至 一个 单独的 二极管 除非 否则 陈述.
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