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资料编号:48121
 
资料名称:3SK239A
 
文件大小: 41.65K
   
说明
 
介绍:
GaAs Dual Gate MES FET
 
 


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3SK239A
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DS
12 V
门 1 至 源 电压 V
G1S
–6 V
门 2 至 源 电压 V
G2S
–6 V
流 电流 I
D
50 毫安
频道 电源 消耗 Pch 100 mW
频道 温度 Tch 125 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +125 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 泄漏 电流 I
DSX
50 µA V
DS
= 12 v, v
G1S
= –3 v,
V
G2S
= 0
门 1 至 源 损坏
电压
V
(br)g1ss
–6 V I
G1
= –10 µa, v
G2S
= v
DS
= 0
门 2 至 源 损坏
电压
V
(br)g2ss
–6 V I
G2
= –10 µa, v
G1S
= v
DS
= 0
门 1 泄漏 电流 I
G1SS
–5 µA V
G1S
= –5 v, v
G2S
= v
DS
= 0
门 2 泄漏 电流 I
G2SS
–5 µA V
G2S
= –5 v, v
G1S
= v
DS
= 0
流 电流 I
DSS
14 19 28 毫安 V
DS
= 5 v, v
G1S
= v
G2S
= 0
门 1 至 源 截止 电压 V
g1s(止)
–1.2 –1.6 V V
DS
= 5 v, v
G2S
= 0,
I
D
= 100 µa
门 2 至 源 截止 电压 V
g2s(止)
–1.2 –1.6 V V
DS
= 5 v, v
G1S
= 0,
I
D
= 100 µa
向前 转移 admittance |y
fs
| 20 31 mS V
DS
= 5 v, v
G2S
= 1 v,
I
D
= 10 毫安, f = 1 khz
输入 电容 Ciss 0.58 1.0 pF V
DS
= 5 v, v
G1S
= v
G2S
= –3 v,
f = 1 mhz
输出 电容 Coss 0.36 0.6 pF
反转 转移 电容 Crss 0.028 0.05 pF
电源 增益 PG 17 19 dB V
DS
= 5 v, v
G2S
= 1 v,
I
D
= 10 毫安, f = 900 mhz
噪音 图示 NF 1.3 2.0 dB
便条: 标记 是 “xr–”.
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