MIC2182 Micrel
MIC2182 14 六月 2000
这 使能 管脚 (管脚 6) 有 二 门槛 水平, 准许 这
mic2182 至 shut 向下 在 一个 低 电流 模式, 或者 转变 止 输出
切换 在 uvlo 模式. 一个 使能 管脚 电压 更小的 比
这 关闭 门槛 转变 止 所有 这 内部的 电路系统 和
减少 这 输入 电流 至 典型地 0.1
µ
一个.
如果 这 使能 管脚 电压 是 在 这 关闭 和 uvlo
门槛, 这 内部的 偏差, v
DD
, 和 涉及 电压 是
转变 在. 这 软-开始 管脚 是 强迫 低 用 一个 内部的
释放 场效应晶体管. 这 输出 驱动器 是 inhibited 从
切换 和 仍然是 在 一个 低 状态. raising 这 使能
电压 在之上 这 uvlo 门槛 的 2.5v 准许 这 软-
开始 电容 至 承担 和 使能 这 输出 驱动器.
也 的 二 uvlo 情况 将 拉 这 软-开始 电容
低.
•
当 这 v
DD
drops 在下 4.1v
•
当 这 使能 管脚 drops 在下 这 2.5v
门槛
场效应晶体管 门 驱动
这 mic2182 高-一侧 驱动 电路 是 设计 至 转变 一个
n-频道 场效应晶体管. referring 至 这 块 图解 在 图示
2, 一个 自举 电路, consisting 的 d2 和 c
BST
, 供应
活力 至 这 高-一侧 驱动 电路. 电容 c
BST
是
charged 当 这 低-一侧 场效应晶体管 是 在 和 这 电压 在
这 v
SW
管脚 (管脚 15) 是 大概 0v. 当 这 高-一侧
场效应晶体管 驱动器 是 转变 在, 活力 从 c
BST
是 使用 至 转变
这 场效应晶体管 在. 作 这 场效应晶体管 转变 在, 这 电压 在 这
V
SW
管脚 增加 至 大概 v
在
. 二极管 d2 是 re-
versed 片面的 和 c
BST
floats 高 当 continuing 至 保持
这 高-一侧 场效应晶体管 在. 当 这 低-一侧 转变 是
转变 后面的 在, c
BST
是 recharged 通过 d2.
这 驱动 电压 是 获得 从 这 内部的 5v v
DD
偏差
供应. 这 名义上的 低-一侧 门 驱动 电压 是 5v 和 这
名义上的 高-一侧 门 驱动 电压 是 大概 4.5v
预定的 这 电压 漏出 横过 d2. 一个 fixed 80ns 延迟 在
这 高- 和 低-一侧 驱动器 transitions 是 使用 至 阻止
电流 从 同时发生地 流 unimpeded 通过 两个都
mosfets.
振荡器 和 同步
这 内部的 振荡器 是 自由 运动 和 需要 非 外部
组件. 这 名义上的 振荡器 频率 是 300khz. 如果
这 输出 电压 是 在下 大概 0.95v, 这 oscilla-
tor 运作 在 一个 频率-foldback 模式 和 这 切换
频率 是 减少 至 60khz.
这 同步 输入 (管脚 5) 准许 这 mic2182 至 同步
和 一个 外部 时钟 信号. 这 rising 边缘 的 这 同步
信号 发生 一个 重置 信号 在 这 振荡器, 这个 转变
止 这 低-一侧 门 驱动 输出. 这 高-一侧 驱动 然后
转变 在, 重新开始 这 切换 循环. 这 同步 信号 是
inhibited 当 这 控制 运作 在 skip 模式 或者 在
频率 foldback. 这 同步 信号 频率 必须 是
更好 比 这 最大 指定 自由 运动 频率
的 这 mic2182. 如果 这 同步 频率 是 更小的,
翻倍 pulsing 的 这 门 驱动 输出 将 出现. 当 不
使用, 这 同步 管脚 必须 是 连接 至 地面.
图示 8 显示 这 定时 在 这 外部 同步 信号
(查出 2), 这 低-一侧 驱动 (查出 1) 和 这 high-side 驱动
(查出 r1). 那里 是 一个 延迟 的 大概 250ns 在
这 rising 边缘 的 这 外部 同步 信号 和 turnoff 的 这
低-一侧 场效应晶体管 门 驱动.
一些 concerns 的 运行 在 高等级的 发生率 是:
•
高等级的 电源 消耗 在 这 内部的 v
DD
调整器. 这个 occurs 因为 这 场效应晶体管
门 需要 承担 至 转变 在 这 设备. 这
平均 电流 必需的 用 这 场效应晶体管 门
增加 和 切换 频率. 这个 在-
creases 这 电源 dissipated 用 这 内部的
V
DD
调整器. 图示 10 显示 这 总的 门
承担 这个 能 是 驱动 用 这 mic2182
在 这 输入 电压 范围, 为 不同的 值
的 切换 频率. 这 总的 门 承担
包含 两个都 这 高- 和 低-一侧 mosfets.
这 大 sop 包装 是 有能力 的 dissipat-
ing 更多 电源 比 这 ssop 包装 和
能 驱动 大 mosfets 和 高等级的 门
驱动 (所需的)东西.
时间
同步
信号
低-一侧
驱动
高-一侧
驱动
图示 8. 同步 波形
时间
V
SS
V
输出
图示 9. startup 波形
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