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资料编号:481754
 
资料名称:MIG100J101H
 
文件大小: 218.57K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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MIG100J101H
2001-05-29
2
最大 比率
(t
j
= 25°c)
平台 典型的 情况 标识 比率 单位
供应 电压 p-n 电源 终端 V
CC
450 v
集电级-发射级 电压
V
CES
600 v
集电级 电流 T
c
= 25°c, 直流 I
C
100 一个
向前 电流 T
c
= 25°c, 直流 I
F
100 一个
集电级 电源 消耗 T
c
= 25°c P
C
300 w
反相器
接合面 温度
T
j
150 °c
控制 供应 电压 V
D
-地 终端 V
D
20 v
输入 电压 在-地 终端 V
20 v
故障 输出 电压 fo-地 (l) 终端 V
FO
20 v
控制
故障 输出 电流 fo 下沉 电流 I
FO
14 毫安
运行 温度
TC
20 ~ +100 °C
存储 温度 范围
T
stg
40 ~ +125 °C
分开 电压 交流 1 分钟, V
ISO
2500 v
单元
screw torque M5
3 n·m
电的 特性
(t
j
= 25°c)
一个. 反相器 平台
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
T
j
= 25°c
1
集电级 截-止 电流 I
CEX
V
CE
= 600 v
T
j
= 125°c
20
毫安
T
j
= 25°c
2.0 2.5
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce (sat)
V
D
= 15 v, i
C
= 100 一个
V
= 15 v
0 v
T
j
= 125°c
2.0
V
向前 电压 V
F
I
F
= 100 一个
2.1 3.3 V
t
1.0 2.0
t
1.7 3.0
t
f
0.2 0.5
切换 时间
t
rr
V
CC
= 300 v, i
C
= 100 一个
V
D
= 15 v, v
= 15 v 0 v
inductive 加载
(便条 1)
0.1 0.3
µs
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