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资料编号:481754
 
资料名称:MIG100J101H
 
文件大小: 218.57K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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MIG100J101H
2001-05-29
3
b. 控制 平台
(t
j
= 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 一侧 I
D
(h)
8
控制 电路
电流
低 一侧 I
D
(l)
V
D
= 15 v
24
毫安
输入-在 信号 电压 V
在 (在)
V
D
= 15 v, i
C
= 100 毫安 1.3 1.5 1.7 V
输入-止 信号 电压 V
在 (止)
V
D
= 15 v, i
C
= 100 毫安 2.2 2.5 2.8 V
保护 i
fo (在)
8 10 12
故障 输出
电流
正常的 i
fo (止)
V
D
= 15 v
1
毫安
在 电流
保护
trip 水平的
反相器 oc v
D
= 15 v, t
j
= 125°c 160 200
一个
短的 电流
保护
trip 水平的
反相器 sc v
D
= 15 v, t
j
= 125°c 240 300
一个
在 电流 截-止 时间 t
止 (oc)
V
D
= 15 v
5
µs
trip 水平的 OT 110 118 125
温度
保护
重置 水平的 OTr
情况 温度
98
°C
trip 水平的 UV 11.0 12.0 12.5
控制 供应
下面 电压
保护
重置 水平的
UVr
12.5
V
故障 输出 脉冲波 宽度 t
FO
V
D
= 15 v 1 2 3 ms
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