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资料编号:481757
 
资料名称:MIG150J7CSB1W
 
文件大小: 186.01K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MIG150J7CSB1W
2001-11-13
5
2. brake 平台
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
Tj
25°C
1
集电级 截-止 电流 I
CEX
V
CE
600 v
Tj
125°C
10
毫安
Tj
25°C
1.8 2.2
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
V
D
15 v
I
C
75 一个
V
15 v
0 v
Tj
125°C
2.0

V
Tj
25°C
1
反转 电流 I
R
V
R
600 v
Tj
125°C
10
毫安
向前 电压 V
F
I
F
75 一个, tj
25°C 1.7 2.2 2.6
V
t

1.6 2.2
t
c (在)
0.65
t
rr
0.45
t
1.4 2.4
切换 时间
t
c (止)
V
CC
300 v, i
C
75 一个
V
D
15 v, v
15 v
0 v
Tj
25°c, inductive 加载
(便条 1)
0.2
s
便条 1: 切换 时间 测试 电路 &放大; 定时 chart
3. 控制 平台
(tj

25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 一侧 I
d (h)

13 17
控制 电路 电流
低 一侧 I
d (l)
V
D
15 v
52 68
毫安
输入 在 信号 电压 V
在 (在)
1.4 1.6 1.8
输入 止 信号 电压 V
在 (止)
V
D
15 v
2.2 2.5 2.8
V
保护 i
fo (在)

10 12
故障 输出 电流
正常的 i
fo (止)
V
D
15 v
0.1
毫安
反相器 240
在 电流 保护
trip 水平的
Brake
oc v
D
15 v, tj
125°C
120
一个
反相器 240
短的 电路 保护 trip
水平的
Brake
sc v
D
15 v, tj
125°C
120
一个
在 电流 截-止 时间 t
止 (oc)
V
D
15 v
5
s
trip 水平的 OT 110 118 125
在 温度
保护
重置 水平的 OTr
情况 温度
98
°C
trip 水平的 UV 11.0 12.0 12.5
控制 供应 下面
电压 保护
重置 水平的 UVr
12.0 12.5 13.0
V
故障 输出 脉冲波 宽度 t
FO
V
D
15 v 1 2 3 ms
4. 热的 阻抗
(tc

25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
反相器 igbt

0.167
反相器 frd
0.313
brake igbt
0.270
接合面 至 情况 热的 阻抗 R
th (j-c)
brake frd
0.600
°c/w
情况 至 fin 热的 阻抗 R
th (c-f)
复合 是 应用
0.017
°c/w
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