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资料编号：481757
 
资料名称：MIG150J7CSB1W
 
文件大小： 186.01K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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MIG150J7CSB1W
2001-11-13
8
100
1
0 50 100 200
3
30
150
一般 cathode
:tj = 25°c
:tj = 125°c
Irr
10
trr
0
0 1 32 4
一般 cathode
:tj = 25°c
:tj = 125°c
50
100
150
200
300
250
10
0.01
0 50 200
0.1
1
tj = 125°c
V
CC
300 v
V
D
15 v
l-加载
ton
toff
tc (在)
tc (止)
0.03
0.05
0.3
0.5
3
5
100 150
10
0.01
0 50 200
0.1
1
tj = 25°c
V
CC
300 v
V
D
15 v
l-加载
ton
toff
tc (在)
tc (止)
0.03
0.05
0.3
0.5
3
5
100 150
300
0
0 1 3 4
50
100
200
2
150
V
D
17 v
一般 发射级
tj = 125°c
13 v
15 v
250
300
0
0 1 3 4
50
100
200
2
150
V
D
17 v
一般 发射级
tj = 25°c
13 v
15 v
250
向前 电流 i
F
(一个)
切换 时间 (
s)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级 电流 I
C
(一个)
切换 时间 – i
C
切换 时间 (
s)
集电级 电流 I
C
(一个)
切换 时间 – i
C
向前 电压 v
F
(v)
I
F
– v
F
向前 电流 i
F
(一个)
t
rr
, i
rr
– i
F
顶峰 反转 恢复 电流 irr (一个)
顶峰 反转 恢复 时间 trr (
10ns)
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