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资料编号:482048
 
资料名称:MJ16110
 
文件大小: 414.65K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Power Transistors
 
 


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MJ16110 MJW16110
3
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
V
CE
, collector–emitter 饱和
V
, base–emitter 电压 (伏特)
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
0.15
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
0.2 1
3
1.5
10
I
B
, 根基 电流 (放大器)
5
2
1
0.7
0.2
0.1
0.3
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0.2
图示 1. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
2
0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 20
30
10
3
图示 2. collector–emitter 饱和 电压
0.15
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
0.03
0.3 1
2
0.7
0.3
h
FE
, 直流 电流 增益
5
V
CE
= 5 v
3 5 10 15
图示 3. collector–emitter 饱和 区域
70.70.1 0.2 0.5 102 50.7
图示 4. base–emitter 饱和 区域
图示 5. 电容
3
1
10K
1
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
10
5
2K
100 1K
c, 电容 (pf)
30
10 一个
I
C
= 3 一个
T
J
= 25
°
C
C
ib
5 一个
T
J
= 100
°
C
20
23
2
3 15
0.1
0.2
0.1
I
C
/i
B
= 10
0.5
1
1
0.5
5K
1K
3K
50
100
200
300
500
0.3 0.5 3 10 30 50 600300
I
C
/i
B
= 5
0.7 7
0.5
0.05
0.07
T
J
= 25
°
C
7
0.5
7 0.3 0.5 2 5 10
f
测试
= 1 khz
20
T
J
= 25
°
C
T
J
= – 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
/i
B
= 5 &放大; 10
0.7
7 一个
15 一个
C
ob
电压 (伏特)
典型 静态的 特性
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