MJ21193 MJ21194
4
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
图示 9. 典型 饱和 电压
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
饱和 电压 (伏特)
图示 10. 典型 饱和 电压
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
饱和 电压 (伏特)
图示 11. 典型 base–emitter 电压
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
是(在)
, base–emitter 电压 (伏特)
图示 12. 典型 base–emitter 电压
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
是(在)
, base–emitter 电压 (伏特)
图示 13. 起作用的 区域 safe 运行 范围
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
那里是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的一个
晶体管;一个verage junctiontemperature 一个nd secondary
损坏.safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制的 the transistor that m美国t be observed for reliable
运作;i.e., the transistor m美国t not be subjected to
更好 消耗 比 这 曲线 表明.
这数据 的 图示 13 是 为基础 在 t
j(pk)
= 200
°
c; t
C
是
能变的depending on conditions. 一个t high c作e tempera-
tures,热的 限制 将 减少 这 电源 比 能是
处理to values less than the limitations imposed by
第二 损坏.
pnp mj21193 npn mj21194
典型 特性
pnp mj21193 npn mj21194
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100101.00.1
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
100101.00.1
0.2
10
1.0
0.1
100101.00.1
10
1.0
0.1
100101.00.1
100
10
1.0
0.1
100101.0 1000
T
J
= 25
°
C
I
C
/i
B
= 10
V
是(sat)
V
ce(sat)
T
J
= 25
°
C
I
C
/i
B
= 10
V
是(sat)
V
ce(sat)
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 20 v (固体的)
V
CE
= 5 v (dashed)
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 20 v (固体的)
V
CE
= 5 v (dashed)
1 秒
T
C
= 25
°
C
: 点此下载
