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资料编号:482235
 
资料名称:MJB45H11
 
文件大小: 75.98K
   
说明
 
介绍:
Complementary Power Transistors
 
 


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mjb44h11 (npn), mjb45h11 (pnp)
http://onsemi.com
3
图示 1. 热的 回馈
t, 时间 (ms)
0.01
0.01 0.05 1.0 2.0 5.0 10 20 50 500 1.0 k0.1 0.50.2
1.0
0.2
0.1
0.05
r(t), 瞬时 热的
Z
θ
jc(t)
= r(t) r
θ
JC
R
θ
JC
= 1.56
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
− t
C
= p
(pk)
Z
θ
jc(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
0.2
单独的 脉冲波
阻抗 (normalized)
0.5
d = 0.5
0.05
0.3
0.7
0.07
0.03
0.02
0.02
100 200
0.1
0.02
0.01
图示 2. 最大 评估 向前 偏差
safe 运行 范围
100
1.0
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
5.0 10
T
C
70
°
C
职责 循环
50%
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
2.0 3.0 20 30 50 100
1.0
7.0 70
1.0
µ
s
直流
0.1
0.2
0.3
0.5
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
10
µ
s
100
µ
s
1.0 ms
那里 是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的
一个 晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二
损坏. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
− v
CE
限制 的 这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
运作;i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好
消耗 比 这 曲线 表明.
这 数据 的 图示 2 是 为基础 在 t
j(pk)
= 150
°
c; t
C
能变的 取决于 在 情况. 第二 损坏 脉冲波
限制 是 有效的 为 职责 循环 至 10% 提供 t
j(pk)
150
°
c. t
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在
图示 1. 在高 情况 温度, 热的 限制 将
减少 这 电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
图示 3. 电源 减额
0
t, 温度 (
°
c)
0
40 60 100 120 160
40
T
C
20
60
P
D
, 电源 消耗 (watts)
0
2.0
T
一个
1.0
3.0
80 140
T
C
T
一个
20
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