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资料编号:482353
 
资料名称:MJD350
 
文件大小: 194.02K
   
说明
 
介绍:
SILICON POWER TRANSISTORS
 
 


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MJD340 MJD350
3
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
t, 时间 (ms)
1
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), 瞬时 热的
0.05 1 2 5 10 20 50 100 200 1 k500
R
θ
jc(t)
= r(t) r
θ
JC
R
θ
JC
= 8.33
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
θ
jc(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
d = 0.5
0.2
0.05
单独的 脉冲波
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.1 0.50.2
图示 5. 热的 回馈
阻抗 (normalized)
0.03 0.3 3 30 300
0.01
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
1000
10
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
1
20 30 50 70 100
200
500
300
500
µ
s
图示 6. 起作用的 区域 safe 运行 范围
200 300 500 700 1000
100
20
50
30
10
2
5
3
1 ms
直流
100
µ
s
那里是 二 限制 在 这电源 处理 能力 的 一个
晶体管:-
向下.safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的
晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的运作;
i.e.,这 晶体管 必须 不是 subjected 至 更好 dissipa-
tion 比 这 曲线 表明.
数据 的 图示 6 是 为基础 在 t
j(pk)
= 150
_
c; t
C
能变的取决于 在 情况. 第二 损坏脉冲波
限制一个re valid for duty cycles to 10% provided t
J(pk)
v
150
_
c.T
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图-
ure 5.在 高 情况 温度, 热的限制 将 re-
duce 这 电源 那 能 是 处理 至较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
图示 7. 电源 减额
25
25
t, 温度 (
°
c)
0
50 75 100 125 150
20
15
10
5
P
D
, 电源 消耗 (watts)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
T
一个
T
C
T
C
T
一个
(表面 挂载)
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